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J-GLOBAL ID：201002285712750020   整理番号：10A0322219

イリジウムドープBaFe₂As₂超伝導体の微細構造と超伝導

Microstructure and superconductivity of Ir-doped BaFe₂As₂ superconductor

著者 (7件)： WANG X. L. (Dep. of Physics, Renmin Univ. of China, Beijing 100872, People’s Republic of China) ,  SHI H. Y. (Dep. of Physics, Renmin Univ. of China, Beijing 100872, People’s Republic of China) ,  YAN X. W. (Dep. of Physics, Renmin Univ. of China, Beijing 100872, People’s Republic of China) ,  YUAN Y. C. (Dep. of Physics, Renmin Univ. of China, Beijing 100872, People’s Republic of China) ,  LU Z.-y. (Dep. of Physics, Renmin Univ. of China, Beijing 100872, People’s Republic of China) ,  WANG X. Q. (Dep. of Physics, Renmin Univ. of China, Beijing 100872, People’s Republic of China) ,  ZHAO T.-s. (Dep. of Physics, Renmin Univ. of China, Beijing 100872, People’s Republic of China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 1  ページ： 012507  発行年： 2010年01月04日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 名目組成がBa(Fe_1-xIr_x)₂As₂(x=0.10,0.15,および0.20)の多結晶試料につき,X線回折(XRD),走査電子顕微鏡法(SEM),電気抵抗率,および磁化測定により研究した。XRDとSEMから,ほぼ単相の試料であることが分かった。T_C~28Kのバルク超伝導をx=0.10試料で観測した。T_C~28Kは電子ドープAFe₂As₂型(A=Ca,Sr,およびBa)超伝導体につきこれまで報告済みのデータの中で最高の超伝導臨界温度であった。上部臨界磁場H_c2(0)はx=0.10試料で65Tの高さに達した。これを支配する物理について,Coドーピングの場合と関連させて議論した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 反強磁性体 ,  *磁性超伝導体 ,  バリウム化合物 ,  *鉄化合物 ,  ヒ化物 ,  コバルト ,  *イリジウム ,  ドーピング ,  多結晶 ,  電気抵抗率 ,  電子顕微鏡観察 ,  *臨界磁場 ,  *転移温度 ,  高温超伝導体 ,  超伝導 ,  X線回折 ,  磁化 ,  温度依存性 ,  二次元 ,  スペクトル ,  Fermi面 ,  微細構造
準シソーラス用語： 走査電子顕微鏡法

分類 (1件)： その他の超伝導体の物性  (BM04025Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： イリジウム ,  ドープ ,  超伝導体 ,  微細構造 ,  伝導