CNTベース冷陰極の改善された電界放出のためのチタンバッファー層

SRIVIDYA S.; GAUTAM S.; JHA P.; KUMAR P.; KUMAR A.; OJHA U.s.; RAWAT J.s.b.s.; PAL S.; CHAUDHARY P.k.; HARSH; SINHA R.k.

文献

J-GLOBAL ID：201002285835247624 整理番号：10A0254069

CNTベース冷陰極の改善された電界放出のためのチタンバッファー層

Titanium buffer layer for improved field emission of CNT based cold cathode

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=10A0254069&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=10A0254069&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0707B") }}

著者 (11件)： , , , , , , , , , ,
資料名：
巻： 256 号： 11 ページ： 3563-3566 発行年： 2010年03月15日
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

カーボンナノチューブ(CNT)ベース冷陰極は,次世代高性能フラットパネルディスプレイ及び真空マイクロエレクトロニクスデバイスの組み立てに関し,最も有望な材料であると考えられている。基板とのCNTの接着及びそれらの間の接触抵抗は,CNTベース電界放出(FE)デバイスで取り組むべき重要な問題の内の二つである。ここで研究では,チタン(Ti)のバッファー層が触媒堆積に先だって蒸着され,化学蒸着(CVD)法を用いてその成長が行われた。より小さな径のCNTが非常に低密度で成長することにより,チタンバッファー層を用いることで,4V/μmの電界で,10mA/cm²から30mA/cm²まで放出電流密度の顕著な増加があった。電界放出の結果は基板へのCNTの接着が改善したことを示す。このチタンバッファー層はCNTと基板との接触抵抗を下げ,この理由で,より長い持続時間で30mAの安定な放出が得られた。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

, , , , , , ,

熱電子放出,電界放出

, , , ,

前のページに戻る