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J-GLOBAL ID：201002286012617317   整理番号：10A0609963

SiO₂フォトニック準結晶過成長を用いたn-GaN層上のGaN系発光ダイオードの光出力増強

Light-Output-Power Enhancement of GaN-Based Light-Emitting Diodes on an n-GaN Layer Using a SiO₂ Photonic Quasi-Crystal Overgrowth

著者 (5件)： HUANG H. W. (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  HUANG J. K. (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  LEE K. Y. (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  LIN C. F. (National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN) ,  KUO H. C. (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 31  号： 6  ページ： 573-575  発行年： 2010年06月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 量産に適したナノインプリントリソグラフィーを利用し,n-GaN層上のSiO₂フォトニック準結晶ナノパターン過成長による高輝度GaN系LEDの作製を検討した。TO缶パッケージ,駆動電流20mAにおいて,従来の標準的プロセスによるLEDとの比較で,光出力が1.2倍に増強した。内部量子効率も向上し,光抽出効率の増加は33%と見積もられた。この結果,商用LEDの内部量子効率の改善と光出力の増強について期待できる可能性が得られた。

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  *窒化ガリウム ,  準結晶 ,  出力 ,  量子効率 ,  効率 ,  *リソグラフィー ,  フォトニック結晶
準シソーラス用語： *ナノインプリントリソグラフィー ,  光抽出効率 ,  電力変換効率

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (7件)： SiO2 ,  フォトニック準結晶 ,  過成長 ,  GaN ,  発光ダイオード ,  光出力 ,  増強