ミリ波検出感度の改善のためのGaAsSbベースのバックワードダイオードのエネルギーバンド制御

TAKAHASHI Tsuyoshi; SATO Masaru; HIROSE Tatsuya; HARA Naoki

文献

J-GLOBAL ID：201002286159656423 整理番号：10A1127503

ミリ波検出感度の改善のためのGaAsSbベースのバックワードダイオードのエネルギーバンド制御

Energy Band Control of GaAsSb-Based Backward Diodes to Improve Sensitivity of Millimeter-Wave Detection

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著者 (4件)： , , ,
資料名：
巻： 49 号： 10 ページ： 104101.1-104101.6 発行年： 2010年10月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

GaAsSbベースのバックワードダイオードにおけるキャリア濃度の変化を伴うエネルギーバンド制御の効果を調査した。そして,ダイオードパラメータは電圧感度向上のために解析した。バックワードダイオードはp-GaAs_0.51Sb_0.49/i-In_0.52Al_0.48As/n-In_0.63Ga_0.37As/n-In_0.53Ga_0.47Asヘテロ接合からなる。そして,それらはInP基板と最も格子整合した。n-In_0.63Ga_0.37Asにおける空乏層でのエネルギーバンドベンディングの度合いはIn_0.53Ga_0.47Asバンド制御層におけるキャリア濃度に基づいて変化させた。濃度は接合でのバンドベンディング構造に影響するため,電圧感度はキャリア濃度に依存する。パラメータ解析は,バンド制御層のキャリア濃度が減少した時,接合容量が減少することを示唆した。2.0μmの半径でのダイオードメサを伴うバンド制御層のキャリア濃度が5×10¹⁸cm^-3くらい低い時,1495V/Wの他に例を見ない電圧感度が得られた。(翻訳著者抄録)

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赤外・遠赤外領域の測光と光検出器

引用文献 (30件)：

Y. Nakasha, Y. Kawano, T. Suzuki, T. Ohki, T. Takahashi, K. Makiyama, T. Hirose, and N. Hara: Ext. Abstr. Solid State Devices and Materials, 2007, p. 792.
Y. Nakasha, M. Sato, T. Tajima, Y. Kawano, T. Suzuki, T. Takahashi, K. Makiyama, T. Ohki, and N. Hara: IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig., 2009, p. 553.
T. Kosugi, M. Tokumitsu, T. Enoki, M. Muraguchi, A. Hirata, and T. Nagatsuma: IEEE CSIC Symp. Tech. Dig., 2004, p. 171.
A. Hirata, R. Yamaguchi, T. Kosugi, H. Takahashi, K. Murata, T. Nagatsuma, N. Kukutsu, Y. Kado, N. Iai, S. Okabe, S. Kimura, H. Ikegawa, H. Nishikawa, T. Nakayama, and T. Inada: IEEE Trans. Microwave Theory Tech.57(2009)1102.
M. Sato, T. Hirose, T. Ohki, H. Sato, K. Sawaya, and K. Mizuno: IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig., 2007. p. 1775.

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