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J-GLOBAL ID：201002286208759349   整理番号：10A0883730

p-GaN/i-ZnO/n-ZnOの低雑音と高検出性の機構:Alヘテロ構造紫外線光検出器

Mechanisms of Low Noise and High Detectivity of p-GaN/i-ZnO/n-ZnO: Al-Heterostructured Ultraviolet Photodetectors

著者 (3件)： LEE Ching-Ting (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  LIN Tzu-Shun (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  LEE Hsin-Ying (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
資料名： IEEE Photonics Technology Letters  (IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 22  号： 13/16  ページ： 1117-1119  発行年： 2010年07月01日 
JST資料番号： T0721A  ISSN： 1041-1135  CODEN： IPTLEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化亜鉛(ZnO)系の青色と紫外線光検出器が,作製プロセスが簡便で,低コストのため積極的に開発されている。この論文では,i-ZnO膜とn-ZnO:Alドーピング薄膜を,蒸気冷却システムとスパッタリング法でGaN基板上にそれぞれ蒸着して光検出器を作製し,性能を評価した。そのp-GaN/i-ZnO/n-ZnO:ALへテロ構造光検出器の暗電流は4.11pAであった。360nmの紫外線と420nmでの可視波長間の阻止率はバイアス電圧ゼロで3.0×10³であった。低周波数雑音はフリッカ雑音特性を示した。-5Vの逆バイアスで,フリッカ雑音のパワー密度は約2.52×10^-25A²で,1.71×10¹¹cmHz^1/2W^-1の高検出率に対応した。このフリッカ雑音がこの光検出器の主要な雑音源であった。

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *光検出器 ,  *ドーピング ,  *アルミニウム ,  *紫外線 ,  窒化ガリウム ,  基板 ,  スパッタリング ,  気相反応 ,  暗電流 ,  1/f雑音 ,  低周波雑音 ,  性能評価 ,  バイアス ,  PIN接合
準シソーラス用語： パワー密度 ,  *ヘテロ構造

分類 (2件)： 光導電素子  (NC03083X) ,  測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaN ,  ZnO ,  低雑音 ,  Al ,  ヘテロ構造 ,  紫外線光 ,  検出器