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J-GLOBAL ID：201002286259158234   整理番号：10A1330480

ゲートZnO誘電体層を持つAlGaN/GaN MOS-HEMT

AlGaN/GaN MOS-HEMTs With Gate ZnO Dielectric Layer

著者 (3件)： LEE Ching-Ting (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  CHIOU Ya-Lan (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  LEE Chi-Sen (Univ. Michigan, MI, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 31  号： 11  ページ： 1220-1223  発行年： 2010年11月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN系MES-HEMTは大きなゲート漏れ電流が避けられないために,GaN系MOS-HEMTの開発が行われている。そこに使われるゲート誘電体材料としては酸化亜鉛(ZnO)が最も注目されているが,酸素空孔や格子間亜鉛により酸化亜鉛誘電体薄膜は一般にn型半導体となる。本研究では,最近開発された新しい気相冷却凝縮装置による酸化亜鉛誘電体薄膜のAlGaN/GaN MOS-HEMTへの適用を報告した。この酸化亜鉛誘電体薄膜は低キャリア濃度で高抵抗である。得られたHEMTの飽和ドレイン-ソース電流と最大外因性相互コンダクタンスはそれぞれ0.61A/mmと153mS/mmであった。V_GSが3.5Vの順方向ゲートバイアスにおけるゲート漏れ電流は1.21×10^-4A/mm,V_GSが-12Vの逆方向ゲートバイアスにおけるゲート漏れ電流は7.16×10^-6A/mmであった。また,単一利得遮断周波数と発振の最大周波数はそれぞれ7.2GHzと11.5GHzであった。

シソーラス用語： *MOSFET ,  *HEMT ,  MOS構造 ,  窒化ガリウム ,  アルミニウム化合物 ,  酸化亜鉛 ,  *漏れ電流 ,  酸化膜 ,  電流電圧特性 ,  相互コンダクタンス ,  遮断周波数
準シソーラス用語： 窒化ガリウムアルミニウム ,  *ゲート漏れ電流 ,  ゲート酸化膜

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： ゲート ,  ZnO ,  誘電体 ,  AlGaN ,  GaN ,  MOS ,  HEMT