文献

J-GLOBAL ID：201002286279351820   整理番号：10A0858203

3次元LSI/SiP技術・装置・材料《3次元LSI技術の最新動向》5μm径/深さ30μmのVia形成に成功Cu/Low-kとTSVの接続信頼性を評価

著者 (1件)： 池田敦
資料名： Electronic Journal  (Electronic Journal)
号： 197  ページ： 84-85  発行年： 2010年08月15日 
JST資料番号： L5481A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： LSIのトランジスタの発熱,漏れ電流の増大など配線の信号遅延などから,複数のチップやパッケージを縦方向に集積するSiP/PoPなどの三次元実装が進んでいる。更に配線を短縮し,高速伝送を可能にするSi貫通電極によるTSV技術や,ワイヤレスTSVなど無線チップ間のデータ通信手法が注目されている。また,多端子化による高速伝送が可能なTSVを,GPUメーカーやDRAMメーカーでは,低寄生容量のTSVを用いて,DRAMから多数のI/OをGPUに一気につなげる「超ワイドI/O」を開発している。TSVは任意の位置に端子を設けられ,チップ間接続の設計や回路レイアウトの自由度を高められる。TSVの穴あけ技術には,スループット向上など課題がある。3次元TSVプロセスでは,接着剤の内容成分の最適化で,熱可塑性があり280°CのCVDの高温環境下でも熱分解が少なく,膜均一性を維持する仮止め接着剤も開発している。

シソーラス用語： *三次元 ,  *LSI【IC】 ,  *ICパッケージ ,  *バイアホール ,  *多層配線 ,  信頼性 ,  バンプ ,  ボンディング【IC】 ,  *データ転送 ,  アスペクト比 ,  穴あけ
準シソーラス用語： SiP ,  TSV【配線】 ,  POP【パッケージ】 ,  マイクロバンプ

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (9件)： 3次元 ,  LSI ,  SiP ,  最新動向 ,  成功 ,  Cu ,  TSV ,  接続信頼性 ,  評価