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J-GLOBAL ID：201002286308285549   整理番号：10A0846317

青色発光InGaN多重量子井戸における圧電場に対するパターン形成サファイア基板の影響

Effects of Patterned Sapphire Substrates on Piezoelectric Field in Blue-Emitting InGaN Multiple Quantum Wells

著者 (11件)： KIM Sang-Mook (Korea Photonics Technol., Gwangju, KOR) ,  KIM Sang-Mook (Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR) ,  OH Hwa Sub (Korea Photonics Technol., Gwangju, KOR) ,  BAEK Jong Hyeob (Korea Photonics Technol., Gwangju, KOR) ,  LEE Kwang-Ho (Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR) ,  JUNG Gun Young (Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR) ,  SONG Jae-Ho (Kongju National Univ., Chungnam, KOR) ,  KIM Ho-Jong (Kongju National Univ., Chungnam, KOR) ,  AHN Byung-Jun (Kongju National Univ., Chungnam, KOR) ,  DONG Yanqun (Kongju National Univ., Chungnam, KOR) ,  SONG Jung-Hoon (Kongju National Univ., Chungnam, KOR)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 31  号： 8  ページ： 842-844  発行年： 2010年08月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ディスプレイ用や照明器具用として,高輝度発光ダイオード(LEDs)の開発が求められている。しかし,GaN上のIn_xGa_1-xNのシュードモルフィック成長が原因の不整合歪により生じたInGaN/GaN量子井戸(QWs)に圧電場が存在するため,発光波長のシフトだけでなく発光効率が低下する。本稿では,パターン形成サファイア基板(PSS)上に製作したInGaN/GaN QWs中の歪と圧電場をマイクロRaman分光と電界反射分光により調べた。その結果,平板サファイアとナノサイズPSS上で圧電場は,それぞれ0.83MV/cmと0.70MV/cmであった。この差は,残留歪によるもので,GaN層上の成長させたInGaN QWの歪を低減すれば圧電場を低減できることが分かった。

シソーラス用語： インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  *多重量子井戸 ,  電界反射 ,  格子歪 ,  格子不整合 ,  エネルギー変換効率 ,  *発光ダイオード ,  青色光 ,  窒化ガリウム ,  サファイア ,  *圧電気 ,  Raman分光分析
準シソーラス用語： GaN ,  *InGaN ,  サファイア基板 ,  シュードモルフィック成長 ,  *圧電場 ,  青色発光ダイオード

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： 青色発光 ,  InGaN ,  多重量子井戸 ,  圧電 ,  パターン形成 ,  サファイア基板