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J-GLOBAL ID：201002286317748390   整理番号：10A0500809

無障壁のSi上に堆積された熱安定性の優れた低抵抗率の炭素ドープされたCu薄膜

High thermal stability and low electrical resistivity carbon-containing Cu film on barrierless Si

著者 (6件)： NIE L. F. (Key Lab. of Materials Modification by Laser, Ion and Electron Beams-Ministry of Education, Dalian Univ. of Technol. ...) ,  LI X. N. (Key Lab. of Materials Modification by Laser, Ion and Electron Beams-Ministry of Education, Dalian Univ. of Technol. ...) ,  CHU J. P. (Dep. of Polymer Engineering and Graduate Inst. of Engineering, National Taiwan Univ. of Sci. and Technol., Taipei ...) ,  WANG Q. (Key Lab. of Materials Modification by Laser, Ion and Electron Beams-Ministry of Education, Dalian Univ. of Technol. ...) ,  LIN C. H. (Dep. of Electronic Materials, Chin-Min Inst. of Technol., Tou-Fen 35153, Taiwan) ,  DONG C. (Key Lab. of Materials Modification by Laser, Ion and Electron Beams-Ministry of Education, Dalian Univ. of Technol. ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 18  ページ： 182105  発行年： 2010年05月03日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アニーリング温度とアニーリング時間の異なる炭素のドープされたCu薄膜の界面構造と電気抵抗率を研究した。無障壁シリコン上にマグネトロンスパッタリング法によって薄膜を堆積した。アニーリングを行うと,結晶粒成長が明確に妨げられ,薄膜/基板の界面に炭素を含む厚さがナノメートルの不動態化非晶質層が形成されることが分かった。400°Cで1時間程度アニーリングを行うと,薄膜の抵抗率は2.7μΩcmになり,400°Cで9時間,アニーリングを行った後でも抵抗率は3.8μΩcmという低い値が維持されることが分かった。優れた熱安定性と低い電気抵抗の結合によって,炭素ドーピングは無障壁Si上における将来のCu結線のための有望な技術になるものと考えられる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ケイ素 ,  半導体 ,  *銅 ,  *ドーピング ,  *炭素 ,  *電気抵抗率 ,  *金属薄膜 ,  焼なまし ,  マグネトロンスパッタリング ,  スパッタ蒸着 ,  非晶質 ,  配線 ,  Augerスペクトル ,  透過型電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  不動態化 ,  不動態皮膜
準シソーラス用語： 不動態化膜

分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  金属結晶の電子伝導  (BM03033M)

タイトルに関連する用語 (9件)： 障壁 ,  Si ,  堆積 ,  熱安定性 ,  低抵抗 ,  炭素 ,  ドープ ,  Cu ,  薄膜