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J-GLOBAL ID：201002286497401813   整理番号：10A0502636

相変化材料GeSbの性質の特性化

Characterization of the properties for phase-change material GeSb

著者 (7件)： GU Yifeng (Shanghai Inst. of Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN) ,  GU Yifeng (Graduate School, Chinese Academic of Sci., Beijing, CHN) ,  ZHANG Ting (Shanghai Inst. of Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN) ,  SONG Zhitang (Shanghai Inst. of Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN) ,  LIU Yanbo (Shanghai Inst. of Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN) ,  LIU Bo (Shanghai Inst. of Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN) ,  FENG Songlin (Shanghai Inst. of Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 99  号： 1  ページ： 205-209  発行年： 2010年04月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 次世代不揮発性メモリとして相変化ランダムアクセスメモリが注目され,そのための相変化材料としてGe₂Sb₂Te₅が研究されている。本研究ではTeを用いない,環境への影響の少ないGeSb相変化材料を調べた。特別の共晶GeSb組成は歪んだ正方晶系NaCl-B1型構造を伴い,他とは全く異なる。Ge₁₅Sb₈₅結晶化をX線光電子分光法により調べた。結晶化には高結合エネルギーでSbの増加,低結合エネルギーでSbの減少を伴った。

シソーラス用語： *材料 ,  不揮発性メモリ ,  *PRAM【メモリ】 ,  結晶化 ,  X線光電子分光法 ,  結合エネルギー ,  ゲルマニウム含有合金 ,  アンチモン合金 ,  *共晶合金
準シソーラス用語： *相変化材料 ,  *相変化RAM

分類 (1件)： 記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (3件)： 相変化材料 ,  性質 ,  特性化