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J-GLOBAL ID:201002286705141464   整理番号:10A1048441

p-Si/n-ZnOヘテロ接合ダイオード製造のための酸化亜鉛ナノロッドの合成とキャラクタリゼーション

Synthesis and characterization of zinc oxide nanorods on silicon for the fabrication of p-Si/n-ZnO heterojunction diode
著者 (8件):
資料名:
巻: 508  号:ページ: 375-379  発行年: 2010年10月22日 
JST資料番号: D0083A  ISSN: 0925-8388  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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六方晶形状のZnOナノロッドを酸素存在下で金属亜鉛粉末の熱蒸着によってp-シリコン基板上に成長させた。成長ナノロッドをX線回折,FESEM,HRTEMと室温光ルミネセンス(PL)分光法によって構造的及び光学的特性の観点から観察した。観察された構造的及び光学的特性から成長ナノロッドはウルツ鉱型六方晶相の優れた結晶性を持っていて優先的に[0001]方位に沿って成長して優れた光学特性を示すことがわかる。p-シリコン基板上に成長したn-ZnOナノロッド(n-ZnO/p-Si)を用いてp-nヘテロ接合ダイオードを製造した。これは約0.5Vのターンオン電圧を持っていた。温度依存性(298,323,343,363,383と423K)を持つ製造ダイオードのI-V特性試験の結果を報告する。製造ヘテロ接合ダイオードは高温で合理性を持って安定であり,直列抵抗は温度上昇と共に若干増加することがわかった。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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JSTが定めた文献の分類名称とコードです
13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合 

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