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J-GLOBAL ID：201002286751901171   整理番号：10A0236364

高性能ポリ(チエノ-チオフェン)薄膜トランジスタにおける高い移動度の微細構造起源

Microstructural Origin of High Mobility in High-Performance Poly(thieno-thiophene) Thin-Film Transistors

著者 (7件)： WANG Chenchen (Applied Physics, CA, USA) ,  JIMISON Leslie H. (Materials Sci. and Engineering, CA, USA) ,  GORIS Ludwig (Materials Sci. and Engineering, CA, USA) ,  MCCULLOCH Iain (Imperial Coll. of London, London, GBR) ,  HEENEY Martin (Imperial Coll. of London, London, GBR) ,  ZIEGLER Alexander (Max-Planck Inst. for Biochemistry, Martinsried, DEU) ,  SALLEO Alberto (Materials Sci. and Engineering, CA, USA)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 22  号： 6  ページ： 697-701  発行年： 2010年02月09日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリ(2,5-ビス(3-テトラデシルチオフェン-2-イル)チエノ[3,2b]チオフェン(PBTTT)薄膜トランジスタは室温移動度0.34cm²/Vsの高移動度を示す。二次元および三次元移動度エッジモデルを導き,ポリ(3-ヘキシル)チオフェン(P3HT)と比較した。透過型電子顕微鏡および原子間力顕微鏡によりスピンコート膜の表面構造を調べ,テラスが10nmサイズの微細結晶からなり,欠陥密度は両薄膜で同程度と推定した。高い移動度の原因として,低トラップ密度ではなく,微結晶中のキャリア移動度μ₀が20cm²/Vsでp3HTの1cm²/Vsに比べて高いことを挙げた。

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  *キャリア移動度 ,  ナノ構造 ,  モデル ,  二次元 ,  三次元 ,  *ポリチオフェン類 ,  原子間力顕微鏡 ,  スピンコーティング ,  ポリヘキシルチオフェン ,  *高分子薄膜 ,  *表面構造 ,  微結晶 ,  表面テラス ,  *欠陥密度 ,  キャリア捕獲
準シソーラス用語： P3HT ,  エネルギーモデル ,  キャリヤトラップ ,  微細結晶

分類 (5件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  固-気界面一般  (CB12041H) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高性能 ,  チオフェン ,  薄膜トランジスタ ,  移動度 ,  微細構造 ,  起源