エピタキシー成長したGaAs/Ge高移動度チャネル基板上の原子層堆積HfO<sub>2</sub>誘電体の界面と電気的性質のキャラクタリゼーション

DALAPATI G. K.; KUMAR M. K.; CHIA C. K.; GAO H.; WANG B. Z.; WONG A. S. W.; KUMAR A.; CHIAM S. Y.; PAN J. S.; CHI D. Z.

文献

J-GLOBAL ID：201002286897232522 整理番号：10A0870078

エピタキシー成長したGaAs/Ge高移動度チャネル基板上の原子層堆積HfO₂誘電体の界面と電気的性質のキャラクタリゼーション

Interfacial and Electrical Characterization of Atomic-Layer-Deposited HfO₂ Gate Dielectric on High Mobility Epitaxial GaAs/Ge Channel Substrates

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=10A0870078&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=10A0870078&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0285A") }}

著者 (10件)： , , , , , , , , ,
資料名：
巻： 157 号： 8 ページ： H825-H831 発行年： 2010年
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

Ge上にMOCVDで形成したエピタキシャルGaAs膜(epi)とバルクGaAs基板とでMOS型キャパシタを構成した。塩化ハフニウムと水蒸気によるALDで,これらに酸化ハフニウムのゲート誘電体層を堆積し,その界面と電気的性質を調べた。それらの断面を透過型電子顕微鏡で観察したところ,どちらも同じ厚さのHfO₂であったが,500°Cアニーリング後epi上では界面に酸化ガリウムが多い層がXPSで見えた。epiの表面はナノスケールでは粗さが大きいが,これにALD堆積したHfO₂のゲート誘電体の電気的性質はバルクp型GaAsによる素子に匹敵した。酸化物1.4nm相当厚のAu/HfO₂/epiのゲート積層構造は周波数分散(13%),ヒステリシス電圧(0.72V),漏れ電流密度(フラットバンド電圧が+1Vで2.1×10^-3Acm^-2)が小さい。

, , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , ,
, , , , , , ,

塩 , 酸化物薄膜 , 固体デバイス製造技術一般

, , , , , , , , , ,

前のページに戻る

エピタキシー成長したGaAs/Ge高移動度チャネル基板上の原子層堆積HfO2誘電体の界面と電気的性質のキャラクタリゼーション

エピタキシー成長したGaAs/Ge高移動度チャネル基板上の原子層堆積HfO₂誘電体の界面と電気的性質のキャラクタリゼーション