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J-GLOBAL ID：201002286913806712   整理番号：10A0930525

携帯電話基地局用窒化ガリウム電力増幅器(GaN HEMT)の開発

Development of Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor for Cellular Base Stations

著者 (8件)： 井上和孝 (住友電気工業) ,  佐野征吾 (住友電気工業) ,  舘野泰範 (住友電気工業) ,  八巻史一 (住友電気工業) ,  蛯原要 (住友電工デバイス・イノベーション) ,  宇井範彦 (住友電工デバイス・イノベーション) ,  川野明弘 (住友電工デバイス・イノベーション) ,  出口博昭 (住友電工デバイス・イノベーション)
資料名： SEIテクニカルレビュー  (住友電気)
号： 177  ページ： 97-102  発行年： 2010年07月 
JST資料番号： F0314A  ISSN： 1343-4330  CODEN： SUDEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 窒化ガリウム(GaN)は,大出力,高速電子デバイスへの応用が期待されている。高速データ通信用として,素子のパワー密度が高く,広帯域特性が得やすいこと,高い放熱性と高効率特性によりファンレス化・小型化が可能などの利点がある。本稿では,開発した通信用GaN HEMTの概要と携帯電話基地局用デバイスとしての主要な特徴を報告した。GaN HEMT構造は熱伝導に優れたSiC基板上に形成することで良好な放熱性が実現でき,大出力増幅素子として望ましい組合せになっている。本素子の開発時の最大の技術課題は,電流コラプスと呼ばれる過渡的なドレイン電流の低下であった。これに対して,トラップ数低減や電界分布制御などの対策を行った。関連して,GaN HEMTを用いる回路技術として,AB級アンプ,ドハティアンプ,E級アンプについて説明した。

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *HEMT ,  電力トランジスタ ,  携帯電話 ,  基地局 ,  *電力増幅器 ,  炭化ケイ素 ,  ドレイン【半導体】 ,  データ通信 ,  熱放射
準シソーラス用語： SiC ,  ドレイン電流 ,  窒化ガリウムHEMT ,  電界分布 ,  電流コラプス ,  放熱

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (6件)：

• A. Kawano et. al,“High-efficiency and wide-band single-ended 200W GaN HEMT power amplifier for 2.1 GHz W-CDMA base station application”, Asia-Pacific Microwave Conference Proceedings,(2005)
• N. Ui S. Sano,“A 80W 2-stage GaN HEMT Doherty Amplifier with 50dBc ACLR, 42% Efficiency 32dB Gain with DPD for W-CDMA Base Station”, 2007 IEEE MTT-S IMS Digest, pp. 1259-1262(2007)
• H. Deguchi et. al,“A 33W GaN HEMT Doherty Amplifier with 55% Drain Efficiency for 2.6GHz Base Stations,” 2009 IEEE MTT-S IMS Digest, pp. 1273-1276(2009)
• Steve C. Cripps:“RF Power Amplifiers for Wireless Communications” Artech House (1999)
• N. Ui et. al,“A 45% Drain Efficiency,-50dBc ACLR GaN HEMT Class-E Amplifier with DPD for W-CDMA Base Station,” 2006 IEEE MTT-S IMS Digest, pp. 718-721(2006)

タイトルに関連する用語 (7件)： 携帯電話 ,  基地局 ,  窒化ガリウム ,  電力増幅器 ,  GaN ,  HEMT ,  開発