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J-GLOBAL ID：201002287190514986   整理番号：10A0322117

エピタキシャル成長極薄MgO膜を用いたGe Schottky接合におけるFermi準位ピン止めの起源研究

Investigating the origin of Fermi level pinning in Ge Schottky junctions using epitaxially grown ultrathin MgO films

著者 (7件)： ZHOU Yi (Dep. of Electrical Engineering, Device Res. Lab., Univ. of California, Los Angeles, California 90095, USA) ,  HAN Wei (Dep. of Physics and Astronomy, Univ. of California, Riverside, California 92521, USA) ,  WANG Yong (School of Engineering and Center of Microscopy and Microanalysis, The Univ. of Queensland, Brisbane QLD 4072, AUS) ,  XIU Faxian (Dep. of Electrical Engineering, Device Res. Lab., Univ. of California, Los Angeles, California 90095, USA) ,  ZOU Jin (School of Engineering and Center of Microscopy and Microanalysis, The Univ. of Queensland, Brisbane QLD 4072, AUS) ,  KAWAKAMI R. K. (Dep. of Physics and Astronomy, Univ. of California, Riverside, California 92521, USA) ,  WANG Kang. L. (Dep. of Electrical Engineering, Device Res. Lab., Univ. of California, Los Angeles, California 90095, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 10  ページ： 102103  発行年： 2010年03月08日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ge価電子バンドでのFermi準位(FL)ピン止めは,全ての金属/n-Ge接触に高いSchottky障壁高さを生じる。このピン止め効果の起源は,金属誘起ギャップ状態か,またはダングリングボンドなどのGe表面の負の欠陥から生じる表面状態のどちらかに起因している。報告された結果/説明における不一致は主に(理想的単結晶で,原子的に滑らかであり,プロセス誘起欠陥または混合の無い)高品質金属/Geまたは金属/極薄酸化物/Ge接合の明示的キャラクタリゼーションの不足のためである。Ge上にエピタキシャル成長した極薄MgOとの高品質金属/MgO/n-Ge接合のSchottky特性を報告した。デピンニング効果がMgO厚さに弱い依存性を表すことを見出し,Ge表面の負の欠陥による界面準位がFLピン止めで支配的な役割を果たすらしいことを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： エピタクシー ,  *超薄膜 ,  *酸化マグネシウム ,  ゲルマニウム ,  *半導体金属接合 ,  Fermi準位 ,  ピン止め ,  価電子バンド ,  Schottky障壁 ,  高さ ,  金属 ,  ダングリングボンド ,  表面欠陥 ,  表面準位 ,  エネルギーギャップ ,  単結晶 ,  平滑度 ,  混合 ,  酸化物 ,  キャラクタリゼーション ,  厚み
準シソーラス用語： *ショットキー接合 ,  界面準位 ,  表面状態

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (8件)： エピタキシャル成長 ,  MgO ,  Ge ,  Schottky接合 ,  Fermi準位 ,  ピン止め ,  起源 ,  研究