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J-GLOBAL ID：201002287204878404   整理番号：10A0867885

青-紫InGaN多重量子井戸レーザダイオードの性能に影響する臨界因子:無放射中心

A critical factor affecting on the performance of blue-violet InGaN multiquantum well laser diodes: Nonradiative centers

著者 (9件)： SHIN D. M. (Dep. of Physics, Chungnam National Univ., Daejeon 305-764, KOR) ,  PARK J. (Dep. of Physics, Chungnam National Univ., Daejeon 305-764, KOR) ,  NGUYEN D. H. (Dep. of Physics, Chungnam National Univ., Daejeon 305-764, KOR) ,  JANG Y. D. (Dep. of Physics, Chungnam National Univ., Daejeon 305-764, KOR) ,  YEE K. J. (Dep. of Physics, Chungnam National Univ., Daejeon 305-764, KOR) ,  LEE D. (Dep. of Physics, Chungnam National Univ., Daejeon 305-764, KOR) ,  CHOI Y. H. (LG Electronics Advanced Res. Inst., Seoul 137-724, KOR) ,  JUNG S. K. (LG Electronics Advanced Res. Inst., Seoul 137-724, KOR) ,  NOH M. S. (LG Electronics Advanced Res. Inst., Seoul 137-724, KOR)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 7  ページ： 071910  発行年： 2010年08月16日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 青-紫発光InGaN多重量子井戸の室温(RT)におけるキャリア寿命を励起強度の関数として測定した。p/nドープ導波路試料(PNLD)のキャリア寿命はアンドープやnドープ導波路試料よりも長かった。PNLDでは,中程度の励起で長い減衰成分が支配的になった。これは高速の減衰成分が支配的に留まる他の成分とは対照的である。PNLDの寿命挙動は,その強い光ルミネセンス強度と一致して,無放射中心が減少して生じる。欠陥密度は青-紫レーザダイオードのRT性能の重要な決定要因であると結論した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  化合物半導体 ,  多重量子井戸 ,  *光ルミネセンス ,  半導体レーザ ,  キャリア寿命 ,  P型半導体 ,  N型半導体 ,  ドーピング ,  蛍光減衰 ,  *無放射遷移 ,  再結合中心
準シソーラス用語： *窒化インジウムガリウム ,  *レーザダイオード

分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： 青 ,  紫 ,  InGaN ,  多重量子井戸レーザ ,  ダイオード ,  臨界因子