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J-GLOBAL ID：201002287512349803   整理番号：10A1048805

金属-分子-ケイ素結合に及ぼす接触金属の仕事関数の影響

Effect of work-function of contacting metal on metal-molecules-silicon junctions

著者 (3件)： HIREMATH R.k. (Dep. of Physics, Karnatak Univ., Dharwad 580003, IND) ,  RABINAL M.k. (Dep. of Physics, Karnatak Univ., Dharwad 580003, IND) ,  MULIMANI B.g. (Dep. of Physics, Karnatak Univ., Dharwad 580003, IND)
資料名： Materials Chemistry and Physics  (Materials Chemistry and Physics)
巻： 124  号： 2-3  ページ： 1121-1125  発行年： 2010年12月01日 
JST資料番号： E0934A  ISSN： 0254-0584  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子(エチニルベンゼン)修飾ケイ素表面へ,大きな仕事関数差を持つ金属,つまりアルミニウム(Al)と金(Au)を蒸着させ,Al-分子-SiとAu-分子-Si接合を形成し,金属の仕事関数に対する接合障壁感度を研究した。Al-分子-Si接合の電流-電圧測定プロットは,実際にSchottkyであり,またAu-分子-Si接合では,界面分子の双極子モーメント増加と共に,オーム挙動からShottky挙動への遷移が存在する。分子接合の電荷輸送特性の温度依存性に沿ったこの変化を分析し,検討した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *半導体金属接合 ,  化学修飾 ,  *ウエハ【IC】 ,  アルミニウム ,  金 ,  蒸着膜 ,  *仕事関数 ,  Schottky障壁 ,  感度 ,  電流電圧特性 ,  双極子モーメント ,  温度依存性 ,  *アセチレン化合物 ,  芳香族炭化水素
準シソーラス用語： *ケイ素基板 ,  *ショットキー接合 ,  電荷輸送

分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  電子放出一般  (BM09010H)

物質索引 (1件)： エチニルベンゼン

タイトルに関連する用語 (3件)： 分子 ,  ケイ素結合 ,  仕事関数