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J-GLOBAL ID：201002287569717086   整理番号：10A0731698

二重パターン形成応用のための熱硬化レジストの発展

Evolution of Thermal Cure Resist for Double Patterning Applications

著者 (5件)： REILLY Michael (Dow Chemical Co., MA) ,  BAE Young C. (Dow Chemical Co., MA) ,  VOHRA Vaishali (Dow Chemical Co., MA) ,  KOAY Chiew-Seng (IBM Corp., NY, USA) ,  COLBURN Matthew (IBM Corp., NY, USA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7639  号： Pt.2  ページ： 76392W.1-76392W.7  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 液浸リソグラフィーをハーフピッチ≦32nmに拡張するために,二重パターン形成法が多くの形(LELE,自己整列二重露光,LLEなど)で試験されている。本研究では,16nmと11nmのノードの半導体素子を支援できる分割ピッチを作製するための二重露光トラック最適化(DETO)法を利用した。一連の熱硬化二重パターン形成レジスト系の評価結果を,工程の許容度,クリティカルディメンジョン(CD)均一性,分解能限界と共に示した。

シソーラス用語： *多重露光 ,  熱硬化 ,  *フォトリソグラフィー ,  回路パターン形成 ,  長さ ,  分解能 ,  半導体プロセス ,  *フォトレジスト
準シソーラス用語： *二重パターン形成 ,  二重露光 ,  *液浸リソグラフィー ,  クリティカルディメンジョン

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 二重パターン形成 ,  応用 ,  熱硬化 ,  レジスト ,  発展