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J-GLOBAL ID：201002287639592219   整理番号：10A0502614

フェムト秒レーザによる珪素ウエハ上の誘電体小粒子媒介ナノホールパターン形成の大きさパラメータ効果

Size parameter effect of dielectric small particle mediated nano-hole patterning on silicon wafer by femtosecond laser

著者 (5件)： SAKAI Tetsuo (Keio Univ., Yokohama, JPN) ,  TANAKA Yuto (Keio Univ., Yokohama, JPN) ,  NISHIZAWA Yuji (Keio Univ., Yokohama, JPN) ,  TERAKAWA Mitsuhiro (Keio Univ., Yokohama, JPN) ,  OBARA Minoru (Keio Univ., Yokohama, JPN)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 99  号： 1  ページ： 39-46  発行年： 2010年04月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリスチレン微粒子によるナノ加工特性へのMie散乱理論の大きさパラメータの依存性を調べた。実験ではTi:サファイアレーザの基本波(800nm)と第二高調波(400nm)を用いた。800nm波長で形成した穴の径は100~250nm,深さは20~100nm,400nm波長では穴の径は50~200nm,深さは10~60nmであった。穴径と深さはレーザフルエンスでも制御できた。大きさパラメータを約πに保つと,紫外領域でもナノホールが効率的に形成できることを有限差分時間領域法で数値的に示した。

シソーラス用語： *ナノメータ加工 ,  ポリスチレン ,  微粒子 ,  Mie散乱 ,  パラメータ ,  長さ ,  サファイアレーザ ,  *パターン形成 ,  ナノ構造 ,  細孔 ,  レーザ応用 ,  レーザビーム ,  *パルスレーザ照射 ,  波長依存性 ,  レーザ加工 ,  Ti-サファイアレーザ
準シソーラス用語： 大きさパラメータ ,  ナノホール

分類 (1件)： 特殊加工  (QC04000Y)

タイトルに関連する用語 (8件)： フェムト秒レーザ ,  珪素ウエハ ,  誘電体 ,  小粒子 ,  ナノホール ,  パターン形成 ,  大きさ ,  パラメータ効果