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J-GLOBAL ID：201002287671669436   整理番号：10A0510979

単分子層MoS₂における光ルミネセンスの出現

Emerging Photoluminescence in Monolayer MoS₂

著者 (10件)： SPLENDIANI Andrea (Univ. California at Berkeley, California) ,  SPLENDIANI Andrea (Scuola Galileiana di Studi Superiori di Padova, Padova, ITA) ,  SUN Liang (Univ. California at Berkeley, California) ,  ZHANG Yuanbo (Univ. California at Berkeley, California) ,  LI Tianshu (Univ. California at Davis, California) ,  KIM Jonghwan (Univ. California at Berkeley, California) ,  CHIM Chi-Yung (Univ. California at Berkeley, California) ,  GALLI Giulia (Univ. California at Davis, California) ,  WANG Feng (Univ. California at Berkeley, California) ,  WANG Feng (Lawrence Berkeley National Lab., California)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 10  号： 4  ページ： 1271-1275  発行年： 2010年04月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 硫化モリブデン結晶の剥離により薄膜を作製した。原子間力顕微鏡,Ramanスペクトル,反射スペクトルおよび光ルミネセンススペクトルによりキャラクタリゼーションを行った。MoS₂単分子層が強い光ルミネセンスを示すことを見出した。密度汎関数法計算により電子構造を計算し,硫化モリブデン結晶は間接バンドギャップ半導体であり光ルミネセンスは微弱であるが,単分子層ではd電子構造が直接バンドギャップに変化すると結論した。層状構造における量子閉じ込めにより新しい機会が得られることを強調した。

シソーラス用語： *硫化モリブデン ,  結晶 ,  剥離 ,  *単分子層 ,  薄膜 ,  原子間力顕微鏡 ,  Ramanスペクトル ,  反射スペクトル ,  *光ルミネセンス ,  密度汎関数法 ,  電子構造 ,  バンドギャップ ,  半導体 ,  層状組織 ,  *量子閉込め
準シソーラス用語： 層状構造

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  分子構造と性質の実験的研究  (CB01020I)

タイトルに関連する用語 (3件)： 単分子層 ,  MoS2 ,  光ルミネセンス