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J-GLOBAL ID：201002287726004749   整理番号：10A0136048

有機-無機ヘテロ接合電界効果トランジスタ

Organic-inorganic heterojunction field-effect transistors

著者 (7件)： WANG Haibo (Dep. of Physics and Materials Sci. and Center of Super-Diamond and Advanced Films (COSDAF), City Univ. of Hong Kong ...) ,  LIU Zengtao (Dep. of Physics and Materials Sci. and Center of Super-Diamond and Advanced Films (COSDAF), City Univ. of Hong Kong ...) ,  LO Ming Fai (Dep. of Physics and Materials Sci. and Center of Super-Diamond and Advanced Films (COSDAF), City Univ. of Hong Kong ...) ,  NG Tsz Wai (Dep. of Physics and Materials Sci. and Center of Super-Diamond and Advanced Films (COSDAF), City Univ. of Hong Kong ...) ,  LEE Chun-sing (Dep. of Physics and Materials Sci. and Center of Super-Diamond and Advanced Films (COSDAF), City Univ. of Hong Kong ...) ,  YAN Donghang (State Key Lab. of Polymer Chemistry and Physics, Changchun Inst. of Applied Chemistry, Chinese Acad. of Sciences ...) ,  LEE Shuit-tong (Dep. of Physics and Materials Sci. and Center of Super-Diamond and Advanced Films (COSDAF), City Univ. of Hong Kong ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 107  号： 2  ページ： 024510  発行年： 2010年01月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 活性層として三酸化モリブデン(MoO₃)/ペンタセン及びMoO₃/銅フタロシアニン(CuPc)を有する有機-無機ヘテロ接合電界効果トランジスタを作製し解析した。トランジスタは通常オン動作モードを示し,対応する単層有機素子に比べて閾値電圧がシフトした。MoO₃/ペンタセン及びMoO₃/CuPcヘテロ接合の界面電子構造を紫外発光分光法により調べた。高伝導率の空間電荷領域と有意な電子エネルギー準位の湾曲をヘテロ接合で観測した。有機-無機ヘテロ接合の形成と対応する電界効果トランジスタの特性をヘテロ接合界面の電荷交換を考慮して解析した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *ヘテロ接合 ,  酸化モリブデン ,  電圧 ,  電子構造 ,  発光分光法 ,  空間電荷 ,  エネルギー準位 ,  *有機半導体 ,  ポリアセン
準シソーラス用語： 電界効果トランジスタ ,  三酸化モリブデン ,  閾値電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (2件)： ペンタセン ,  銅フタロシアニン

タイトルに関連する用語 (2件)： ヘテロ接合 ,  電界効果トランジスタ