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J-GLOBAL ID：201002287861353060   整理番号：10A0273698

軸歪下でのコア/シェルCdSe/CdTeヘテロ構造ナノワイヤ

Core/Shell CdSe/CdTe Heterostructure Nanowires Under Axial Strain

著者 (2件)： SADOWSKI T. (Univ. Connecticut, Connecticut) ,  RAMPRASAD R. (Univ. Connecticut, Connecticut)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 114  号： 4  ページ： 1773-1781  発行年： 2010年02月04日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第一原理計算により,バルク,薄膜およびナノワイヤウルツ鉱型CdSeとCdTe系電子構造に及ぼす一軸歪の影響について調べた。c格子定数増大とともに,バルクCdSeバンドギャップは減少するが,CdTeバンドギャップは圧縮により初期増大→最大→減少となり,sp³からsp²混成へ遷移する。二次元ヘテロ接合スラブ界面から離れると,バルクCdSeとCdTeバンドギャップは回復し,c格子定数増大とともに価電子バンドオフセット(VBO)は減少する。歪による一成分ナノワイヤの挙動はバルクの場合と一致するが,量子閉込効果によりバンドギャップ絶対値はバルク値より大きい。c格子定数増大とともにコア-シェル構造のVBOは,CdSeとCdTeコアでそれぞれ増大,減少する。電子と正孔の重なりは,一成分ナノワイヤでは大きいが,コア-シェル構造では小さい。ナノワイヤに平行な一軸歪は重なりを変えないが,引張と圧縮は重なりをそれぞれわずかに減少,増大させる。

シソーラス用語： 多層構造 ,  素子構造 ,  *セレン化カドミウム ,  *テルル化カドミウム ,  ナノワイヤ ,  ウルツ鉱型結晶 ,  バンドギャップ ,  歪 ,  バンドオフセット ,  価電子バンド ,  化合物半導体 ,  密度汎関数法 ,  計算 ,  格子定数 ,  *電子構造 ,  コアシェル構造
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  ヘテロ構造

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  分子の電子構造  (BH05010Q)

タイトルに関連する用語 (7件)： 軸歪 ,  コア ,  シェル ,  CdSe ,  CdTe ,  ヘテロ構造 ,  ナノワイヤ