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J-GLOBAL ID：201002288178101974   整理番号：10A0858248

シリコンカーバイド上のグラフェン成長

Graphene Growth on Silicon Carbide

著者 (3件)： HIBINO Hiroki (NTT Basic Res. Lab., Atsugi-shi, JPN) ,  KAGESHIMA Hiroyuki (NTT Basic Res. Lab., Atsugi-shi, JPN) ,  NAGASE Masao (NTT Basic Res. Lab., Atsugi-shi, JPN)
資料名： NTT Technical Review (Web)  (NTT Technical Review (Web))
巻： 8  号： 8  ページ： WEB ONLY  発行年： 2010年08月 
JST資料番号： U0052A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭素原子の2次元シートであるグラフェンが,次世代のエレクトロニクス材料として注目を集めています。NTT物性科学基礎研究所では,将来のグラフェンエレクトロニクス産業の基礎となる単結晶グラフェン基板の創製を目指して,シリコンカーバイドの熱分解により成長したグラフェンの構造と物性を,実験と理論の両面から解明しています。(著者抄録)

シソーラス用語： 熱分解 ,  *グラファイト ,  炭化物 ,  ケイ素化合物 ,  単結晶 ,  結晶構造解析 ,  *結晶成長 ,  物理的性質 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： シリコンカーバイド

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (7件)：

• K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V.Dubonos, I. V. Grigorieva, and A. A. Firsov, “Electric Field Effect in Atomically Thin Carbon Films,” Science, Vol.306, No.5696, pp. 666-669, 2004.
• H. Kageshima, H. Hibino, M. Nagase, and H. Yamaguchi, “Theoretical Study of Epitaxial Graphene Growth on SiC (0001) Surfaces,”Appl. Phys. Exp., Vol.2, p. 065502, 2009.
• H. Hibino, H. Kageshima, F. Maeda, M. Nagase, Y. Kobayashi, and H. amaguchi, “Microscopic Thickness Determination of Thin Graphite Films Formed on SiC from Quantized Oscillation in Reflectivity of Low-energy Electrons,” Phys. Rev. B, Vol.77, p. 075413, 2008.
• H. Kageshima, H. Hibino, and M. Nagase, “Epitaxial Graphene Growth Studied by Low-energy Electron Microscopy and First-principles,”Mater. Sci. Forum, Vols.645-648, pp. 597-602, 2010.
• M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, and H. Yamaguchi, “In-plane Conductance Measurement of Graphene Nanoislands Using an Integrated Nanogap Probe,” Nanotechnology, Vol.19, No.49, p. 495701,2008.

タイトルに関連する用語 (3件)： シリコンカーバイド ,  グラフェン ,  成長