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J-GLOBAL ID：201002288376951541   整理番号：10A0884330

異なる酸素分圧下におけるナノスケールハフニア属膜の高温電気伝導

High temperature electrical conduction in nanoscale hafnia films under varying oxygen partial pressure

著者 (4件)： KO Changhyun (Harvard School of Engineering and Applied Sciences, Harvard Univ., Cambridge, Massachusetts 02138, USA) ,  SHANDALOV Michael (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Geballe Lab. for Advanced Materials, Stanford Univ., Stanford, California ...) ,  MCINTYRE Paul C. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Geballe Lab. for Advanced Materials, Stanford Univ., Stanford, California ...) ,  RAMANATHAN Shriram (Harvard School of Engineering and Applied Sciences, Harvard Univ., Cambridge, Massachusetts 02138, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 8  ページ： 082102  発行年： 2010年08月23日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単斜晶系(m-HfO₂)相におけるナノ結晶ハフニウム酸化物薄膜の点欠陥平衡は,温度と酸素分圧(P_O(O=o₂)を変化させた下で単結晶MgOとAl₂O₃基板上の厚さ35-63nmのフィルムについて電気化学的測定を行い研究する。導電率は(P_O(O=o₂))ⁿ,に従い変化する,ここで,高P_O(O=o₂では,nは ~+1/11 から ~+1/14の範囲である。P_O(O=o₂に伴う導電率の増加は,HfO₂ 膜の電気伝導度がp-タイプであることを示唆し,酸素空孔よりもむしろ酸素格子間原子またはハフニウム空孔がアンドープm-HfO₂膜のナノ結晶中では主な荷電点欠陥であると思われる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ナノ結晶 ,  *酸化ハフニウム ,  *点欠陥 ,  *電気伝導率 ,  電気化学的挙動 ,  *高温 ,  基板 ,  酸化マグネシウム ,  空孔欠陥 ,  *化学蒸着 ,  分圧
準シソーラス用語： *原子層蒸着 ,  酸素分圧

分類 (1件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 酸素分圧 ,  ナノスケール ,  ハフニア属 ,  電気伝導