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J-GLOBAL ID：201002288431493752   整理番号：10A0995351

グラフェン電界効果トランジスタにおける電子位相コヒーレンスと緩和

Electronic phase coherence and relaxation in graphene field effect transistor

著者 (4件)： OH Youngman ,  EOM Jonghwa ,  KOO Hyun Cheol ,  HAN Suk Hee
資料名： Solid State Communications  (Solid State Communications)
巻： 150  号： 41-42  ページ： 1987-1990  発行年： 2010年11月 
JST資料番号： H0499A  ISSN： 0038-1098  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *グラファイト ,  *FET【トランジスタ】 ,  電子 ,  位相 ,  コヒーレンス ,  緩和現象 ,  磁気抵抗効果 ,  キャリア密度 ,  キャリア散乱 ,  緩和時間 ,  温度依存性 ,  ゲート【半導体】 ,  Anderson局在 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 電気伝導の型 ,  バックゲート ,  弱局在

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： グラフェン ,  電界効果トランジスタ ,  電子 ,  位相コヒーレンス ,  緩和