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J-GLOBAL ID：201002288516975985   整理番号：10A0772327

密度汎関数理論を用いたSiO₂薄膜成長のためのヒドロキシル化Si(001)表面とビスジエチルアミノシランの相互作用

Interaction of bis-diethylaminosilane with a hydroxylized Si (001) surface for SiO₂ thin-film growth using density functional theory

著者 (4件)： BAEK Seung-Bin (Korea Univ. Technol. Education, Chungnam, KOR) ,  KIM Dae-Hee (Korea Univ. Technol. Education, Chungnam, KOR) ,  YOO Yong-Min (ASM Genitech Korea Ltd. Chungnam, KOR) ,  KIM Yeong-Cheol (Korea Univ. Technol. Education, Chungnam, KOR)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 110  号： 110(SDM2010 49-123)  ページ： 165-168  発行年： 2010年06月23日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 密度汎関数理論(DFT)を用いてSiO₂薄膜成長のためのヒドロキシル化Si(001)とビスジエチルアミノシラン(SiH₂[N(C₂H₅)₂]₂,BDEAS)の相互作用について調べた。BDEASはSi表面上で吸収されヒドロキシル(-OH)のH原子と反応し,ジエチルアミノシラン(-SiH₂[N(C₂H₅)₂]₂,DEAS)グループとジエチルアミノ(NH(H₂H₅)₂,DEA)を生成した。さらに,DEAは,二量体間,行間,二量体内サイトで,-OHのもう一つ別のH原子と反応してDEAを生成し,O-(SiH₂)-O結合を形成することができる。これら3つの異なるサイトの間では,O-(SiH₂)-O結合を形成する場合には二量体内サイトが最も可能性が高かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 二酸化ケイ素 ,  汎関数 ,  理論 ,  相互作用 ,  二量体 ,  *化学蒸着 ,  反応 ,  状態 ,  *薄膜成長 ,  ヒドロキシ化
準シソーラス用語： ヒドロキシル化 ,  ALD ,  水素原子 ,  反応状態 ,  密度汎関数理論

分類 (2件)： 気相めっき  (WC08022K) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

物質索引 (1件)： アミノシラン

タイトルに関連する用語 (6件)： 密度汎関数理論 ,  SiO2 ,  薄膜成長 ,  ヒドロキシル化 ,  Si ,  相互作用