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J-GLOBAL ID：201002288523836206   整理番号：10A0221089

PVP/Ta₂O₅混成ゲート誘電膜を用いたペンタセン系低電圧歪みセンサ

Pentacene-Based Low-Voltage Strain Sensors With PVP/Ta₂O₅ Hybrid Gate Dielectrics

著者 (3件)： JUNG Soyoun (Univ. Arkansas, AR, USA) ,  JI Taeksoo (Univ. Arkansas, AR, USA) ,  VARADAN Vijay K. (Univ. Arkansas, AR, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 57  号： 2  ページ： 391-396  発行年： 2010年02月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： -3.5Vで高容量(142.09nF/cm²)と低漏洩電流(1×10^-7A/cm²)を有するポリビニルアルコール(PVP)/Ta₂O₅混成ゲート誘電膜を用い,薄膜トランジスタ(TFT)型ホイートストンブリッジ構造を採用して,ペンタセン系低電圧歪センサを開発した。超平滑な疎水性表面を形成するためにPVP薄層と組合せた高誘電率をもつ無機Ta₂O₅ゲート誘電層は,ペンタセンの分子構造を顕著に改良するとわかった。このセンサ素子は最大1.89cm²/V・sの移動度,-0.5Vのしきい値電圧と10³の高オン/オフ比の優れた素子性能とともに,超低動作電圧(~8V)を示した。いくつかの曲げ直径につき歪みセンサを特性評価した。8mmの曲げ半径の場合に,-4Vの入力バイアスで6.24nA/°/∞の歪み感度を示した。これらの結果から,開発した素子構造は,大面積センサアレイ,無線センサ網や低電力電子素子などの携帯電池駆動型素子応用に有望であるとわかった。

シソーラス用語： *センサ ,  *歪測定 ,  ポリアセン ,  ポリビニルフェノール ,  酸化タンタル ,  複合体 ,  ゲート【半導体】 ,  *誘電体薄膜 ,  薄膜トランジスタ ,  ブリッジ回路 ,  ハイブリッド系 ,  MIM構造 ,  静電容量
準シソーラス用語： *歪センサ

分類 (1件)： 長さ,面積,断面,体積,容積,角度の計測法・機器  (AD05020O)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (7件)： PVP ,  Ta2O5 ,  ゲート ,  誘電膜 ,  ペンタセン ,  低電圧 ,  歪みセンサ