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J-GLOBAL ID:201002288623816890   整理番号:10A0257347

厚殻CdSe/CdSナノ結晶の配位子で制御されたポリタイプ

Ligand-Controlled Polytypism of Thick-Shell CdSe/CdS Nanocrystals
著者 (3件):
資料名:
巻: 132  号:ページ: 953-959  発行年: 2010年01月27日 
JST資料番号: C0254A  ISSN: 0002-7863  CODEN: JACSAT  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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非常に厚いCdS(5nm)殻を持つCdSe/CdS半導体コア/シェルナノ結晶の合成を報告した。コアCdSeナノ結晶の場合と同様に,厚殻CdSe/CdSコア/シェル構造を,純粋なウルツ鉱型(W)又は閃亜鉛鉱型(ZB)結晶構造で合成することができた。厚殻ウルツ鉱CdSe/CdSの成長は全く簡単であったが,殻形成時に第一アミンが存在すると,閃亜鉛鉱上でのCdS殻の成長はより難しくなり,ウルツ鉱/閃亜鉛鉱ポリタイプが生成することが観察された。閃亜鉛鉱をウルツ鉱と区別するために吸収スペクトル分析を使い,第一アミンがCdSe ZBコアのWコアへのほぼ完璧な構造的変換を誘発することを明らかにした。この殻成長の間のCdSe配位子依存性結晶構造の進化のより良い理解を使用して,700nm以上で発光する大直径(10nm)の完璧な閃亜鉛鉱CdSeのコア結晶及び完璧なZB厚殻CdSe/CdSナノ結晶を成長させた。
シソーラス用語:
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分類 (1件):
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金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造 
物質索引 (1件):
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