文献

J-GLOBAL ID：201002288762580094   整理番号：10A0589296

パワー半導体の現状と展望

The Current Status and Future Outlook for Power Semiconductors

著者 (3件)： SEKI Yasukazu (Fuji Electric Systems Co., Ltd.) ,  HOSEN Toru (Fuji Electric Systems Co., Ltd.) ,  YAMAZOE Masaru (Fuji Electric Systems Co., Ltd.)
資料名： Fuji Electric Review  (Fuji Electric Review)
巻： 56  号： 2  ページ： 47-50  発行年： 2010年05月20日 
JST資料番号： S0167A  ISSN： 0429-8284  CODEN： FUERB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,富士電機が取り組んでいるエネルギー・環境対応パワー半導体を中心に,その代表製品であるパワーモジュール,パワーディスクリート,電源制御ICおよび自動車用デバイスについて,その現状と今後の展望を紹介した。第6世代IGBT「Vシリーズ」技術を用いて高温動作,高耐圧・大容量のパワーモジュールの製品化や開発を行った。ポストシリコン技術として,ワイドバンドギャップ半導体を用いたデバイスの開発や超接合MOSFETの開発を行っている。さらに「きぼう」で使われている宇宙用MOSFETでは高信頼性化や低損失化,電源制御用ICでは低ノイズ・省エネルギー化を達成している。自動車用の排気系圧力センサやハイブリッド車用の制御ICを新たに製品化した。

シソーラス用語： *パワーエレクトロニクス ,  回路モジュール ,  集積回路 ,  カーエレクトロニクス ,  IGBT ,  化合物半導体 ,  MOSFET ,  半導体接合 ,  圧力センサ ,  *半導体
準シソーラス用語： パワーモジュール ,  電力IC ,  ワイドバンドギャップ半導体 ,  超接合

分類 (1件)： 固体デバイス一般  (NC03010Z)

タイトルに関連する用語 (3件)： パワー半導体 ,  現状 ,  展望