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J-GLOBAL ID：201002289013417850   整理番号：10A0374041

AlGaN/GaNの高電子移動度トランジスタの分極電荷についてのシミュレーション:電子ホログラフィーとの比較

Simulation of polarization charge on AlGaN/GaN high electron mobility transistors: Comparison to electron holography

著者 (5件)： MARINO Fabio A. (School of Electrical, Computer and Energy Engineering, Arizona State Univ., Tempe, Arizona 85287, USA) ,  CULLEN David A. (Dep. of Physics, Arizona State Univ., Tempe, Arizona 85287, USA) ,  SMITH David J. (Dep. of Physics, Arizona State Univ., Tempe, Arizona 85287, USA) ,  MCCARTNEY Martha R. (Dep. of Physics, Arizona State Univ., Tempe, Arizona 85287, USA) ,  SARANITI Marco (School of Electrical, Computer and Energy Engineering, Arizona State Univ., Tempe, Arizona 85287, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 107  号： 5  ページ： 054516  発行年： 2010年03月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN/GaNの高電子移動度トランジスタデバイスのヘテロ構造についての静電ポテンシャル分布に及ぼす分極電荷の影響を調べた。電子分散とフォノンスペクトルを含む全バンドのセルラーモンテカルロシミュレータを用いてシミュレーションを行った。有効ポテシャル法を用いて量子効果を考慮した。軸外し電子ホログラフィーを用いてデパイスのポテンシャルプロファイルの実験的抽出を行った。シミュレーシュンとの比較をベースに,理論的予測と実験結果との差を説明でき,それによりデバイス動作のより良い理解が得られた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *HEMT ,  計算機シミュレーション ,  *ヘテロ接合 ,  化合物半導体 ,  *窒化ガリウム ,  アルミニウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  電荷 ,  ホログラフィー ,  *分極
準シソーラス用語： 窒化ガリウムアルミニウム ,  分極電荷

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： AlGaN ,  GaN ,  高電子移動度トランジスタ ,  分極電荷 ,  シミュレーション ,  電子ホログラフィー