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J-GLOBAL ID：201002289055209700   整理番号：10A0356286

バルクGaN基板上のInAlN/AlN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタにおける電子速度に対するホットフォノン寿命の影響

Effect of hot phonon lifetime on electron velocity in InAlN/AlN/GaN heterostructure field effect transistors on bulk GaN substrates

著者 (14件)： LEACH J. H. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth Univ., Richmond, Virginia 23284, USA) ,  ZHU C. Y. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth Univ., Richmond, Virginia 23284, USA) ,  WU M. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth Univ., Richmond, Virginia 23284, USA) ,  NI X. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth Univ., Richmond, Virginia 23284, USA) ,  LI X. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth Univ., Richmond, Virginia 23284, USA) ,  XIE J. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth Univ., Richmond, Virginia 23284, USA) ,  OEZGUER Ue. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth Univ., Richmond, Virginia 23284, USA) ,  MORKOC H. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth Univ., Richmond, Virginia 23284, USA) ,  LIBERIS J. (Fluctuation Res. Lab. Semiconductor Physics Inst., Vilnius 01108, LTU) ,  SERMUKSNIS E. (Fluctuation Res. Lab. Semiconductor Physics Inst., Vilnius 01108, LTU) ,  MATULIONIS A. (Fluctuation Res. Lab. Semiconductor Physics Inst., Vilnius 01108, LTU) ,  PASKOVA T. (Kyma Technologies, Inc., Raleigh, North Carolina 27617, USA) ,  PREBLE E. (Kyma Technologies, Inc., Raleigh, North Carolina 27617, USA) ,  EVANS K. R. (Kyma Technologies, Inc., Raleigh, North Carolina 27617, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 13  ページ： 133505  発行年： 2010年03月29日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Feドープ半絶縁体バルクGaN基板上のInAlN障壁をもつGaNヘテロ構造電界効果トランジスタ(HFET)について電流利得カットオフ周波数の測定を行い,電子速度を導出した。固有輸送時間は印可ゲートバイスの急峻な関数で,ゲートバイスが9.3×10¹²cm^-2近傍の2次元電子ガス密度に対応する場合に最小固有輸送時間が実現する。この値は独立に観測された最小縦光学的フォノンの寿命を与える密度と相関する。固有輸送時間に逆比例する速度は,HFETチャンネル内の高電場における非平衡(ホット)フォノンによる散乱によって制限されることが予期される。このように,最小固有輸送時間をホットフォノンの減衰によって解釈した。最小輸送時間に関係するゲートバイスにおいて,1.1μmゲート長素子の平均電子速度が1.75±0.1××10⁷cm/秒と決定した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  *FET【トランジスタ】 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *窒化ガリウム ,  *窒化アルミニウム ,  窒化物 ,  アルミニウム化合物 ,  *インジウム化合物 ,  利得 ,  遮断周波数 ,  フォノン ,  寿命 ,  *速度 ,  基板
準シソーラス用語： 電界効果トランジスタ ,  *HFET ,  電流利得 ,  カットオフ周波数 ,  ホットフォノン ,  *電子速度

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： バルク ,  GaN ,  InAlN ,  AlN ,  ヘテロ構造 ,  電界効果トランジスタ ,  電子速度 ,  ホットフォノン ,  寿命