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J-GLOBAL ID：201002289202797507   整理番号：10A0713746

スイッチングアプリケーションのためのSi基板上に形成されたGaN電力トランジスタ

GaN Power Transistors on Si Substrates for Switching Applications

著者 (7件)： IKEDA Nariaki (Furukawa Electric Co., Ltd., Kanagawa, JPN) ,  NIIYAMA Yuki (Furukawa Electric Co., Ltd., Kanagawa, JPN) ,  KAMBAYASHI Hiroshi (Furukawa Electric Co., Ltd., Kanagawa, JPN) ,  SATO Yoshihiro (Furukawa Electric Co., Ltd., Kanagawa, JPN) ,  NOMURA Takehiko (Furukawa Electric Co., Ltd., Kanagawa, JPN) ,  KATO Sadahiro (Furukawa Electric Co., Ltd., Kanagawa, JPN) ,  YOSHIDA Seikoh (Furukawa Electric Co., Ltd., Kanagawa, JPN)
資料名： Proceedings of the IEEE  (Proceedings of the IEEE)
巻： 98  号： 7  ページ： 1151-1161  発行年： 2010年07月 
JST資料番号： D0378A  ISSN： 0018-9219  CODEN： IEEPAD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si上のGaN-HFET構造は費用対効果に優れ,低損失で,しかも高電力デバイスを実現する重要な構造である。本論文ではこれらの研究を紹介し,報告者らの結果について述べる。Si基板上のGaN-HFETの電流コラプス(高いオン抵抗によるスィッチング電流制限)現象について議論し,導電性Siを使ってこの電流コラプスを抑制した。更にノーマリオフGaN-FETについての試みも調査した。ハイブリッドMOS-HFET構造が低オン抵抗で高耐圧なデバイスを実現する有望な候補である。高耐圧化と電流コラプス性能にはエピ層の厚さが重要である。

シソーラス用語： *電力トランジスタ ,  スイッチングトランジスタ ,  電流電圧特性 ,  抵抗損 ,  窒化ガリウム ,  *HEMT ,  *MOSFET ,  素子構造 ,  信頼性 ,  劣化故障

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： スイッチング ,  アプリケーション ,  Si基板 ,  GaN ,  電力トランジスタ