文献

J-GLOBAL ID：201002289219188270   整理番号：10A0700739

水熱合成したZnOナノロッドの性質に及ぼすZnOバッファ層の後焼なましの影響

Effect of Post Annealing of ZnO Buffer Layer on the Properties of Hydrothermally Grown ZnO Nanorods

著者 (7件)： KIM Ah Ra (Korea Maritime Univ., Busan, KOR) ,  LEE Ju-Young (Korea Maritime Univ., Busan, KOR) ,  JANG Bo Ra (Korea Maritime Univ., Busan, KOR) ,  KIM Hong Seung (Korea Maritime Univ., Busan, KOR) ,  PARK Hyun Kook (Korea Maritime Univ., Busan, KOR) ,  CHO Young Ji (Korea Maritime Univ., Busan, KOR) ,  JANG Nak Won (Korea Maritime Univ., Busan, KOR)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 6,Issue 2  ページ： 06GH10.1-06GH10.4  発行年： 2010年06月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水熱合成したZnOナノロッドの構造と光学的性質に及ぼす焼なましたZnOバッファ層の影響を調べた。ZnOバッファ層はp型Si(100)基板上にRFスパッタリングにより堆積させた。ZnOナノロッドは堆積させたまま及び焼なましたZnOバッファ層上に低温の熱水処理により成長時間を変えて成長させた。焼なましたZnOバッファ層は堆積させたままのZnOバッファ層よりもc軸テクスチャリングが高かった。焼なましたZnOバッファ層上に成長させたZnOナノロッドは堆積させたままのZnOバッファ層よりもX線回折(002)ピーク強度と紫外線放射強度が高かった。ZnOバッファ層のc軸テクスチャリング度は熱水ZnOナノロッドに対する垂直成長に影響した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 水熱合成 ,  バッファ層 ,  *ナノロッド ,  *酸化亜鉛 ,  半導体材料 ,  *焼なまし ,  薄膜成長 ,  X線回折 ,  紫外線 ,  RFスパッタリング
準シソーラス用語： 紫外線放射

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (19件)：

• Y. Xia, P. Yang, Y. Sun, Y. Wu, B. Mayers, B. Gates, Y. Yin, F. Kim, and H. Yan: Adv. Mater.15(2003)353.
• K. Keis, L. Vayssieres, H. Rensmo, S.-E. Lindquist, and A. Hagfeldt: J. Electrochem. Soc.148(2001) A149.
• Y. Xia, P. Yang, Y. Sun, Y. Wu, B. Mayers, B. Gates, Y. Yin, F. Kim, and H. Yan: Adv. Mater.15(2003)353.
• J. Y. Lee, Y. S. Choi, J. H. Kim, M. O. Park, and S. Im: Thin Solid Films 403-404(2002)553.
• C. Liu, J. A. Zapien, Y. Yao, X. Meng, C. S. Lee, S. Fan, Y. Lifshitz, and S. T. Lee: Adv. Mater.15(2003)838.

タイトルに関連する用語 (6件)： 水熱合成 ,  ZnOナノロッド ,  性質 ,  ZnO ,  バッファ層 ,  焼なまし