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J-GLOBAL ID：201002289339028438   整理番号：10A0794074

3D貫通シリコンバイアの電気特性評価

Electrical Characterization of 3D Through-Silicon-Vias

著者 (7件)： LIU F. (IBM T.J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  GU X. (IBM T.J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  JENKINS K.A. (IBM T.J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  CARTIER E.A. (IBM T.J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  LIU Y. (IBM T.J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  SONG P. (IBM T.J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  KOESTER S.J. (IBM T.J. Watson Res. Center, NY, USA)
資料名： Proceedings. Electronic Components & Technology Conference  (Proceedings. Electronic Components & Technology Conference)
巻： 60th Vol.2  ページ： 1100-1105  発行年： 2010年 
JST資料番号： H0393A  ISSN： 0569-5503  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 3DI(三次元集積)は計算システムの性能改善にとって有力な技術である。全ての3DI技術では,信号伝送および電力分配にTSV(貫通シリコンバイア)が利用されており,広い動作周波数におけるTSV電気特性の理解が重要となっている。本論文では,小インダクタンスおよび小キャパシタンス値を有するTSVの電気特性評価技術につき報告した。W TSVおよびハイブリッドCu密着性ウエハ接合に基づく300mm互換性3DI技術を用いて,TSVを構築した。LCRメータを用いて低周波数二重TSVキャパシタンスを特性評価した。測定二重TSVキャパシタンスはシミュレーション結果と一致した。伝送線路特性評価法に基づく二重TSV鎖構造を用いてインダクタンスを抽出した。高周波でのキャパシタンスは接地リターン経路に強く依存した。これらの結果は,二重TSVのインダクタンスとキャパシタンスが高性能3DIシステム用中間層信号の要求仕様に対応可能であることを示した。

シソーラス用語： 三次元 ,  スルーホール ,  *ケイ素 ,  *バイアホール ,  *電気特性 ,  キャラクタリゼーション ,  インダクタンス ,  伝送線路 ,  多層構造
準シソーラス用語： シリコン ,  *貫通孔 ,  *三次元構造 ,  中間層 ,  特性評価

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (3件)： 3D ,  電気特性 ,  評価