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J-GLOBAL ID：201002289345334745   整理番号：10A0643482

プラズマ支援分子線エピタキシーにより成長した光電子用の立方晶Zn_xMg_1-xO薄膜

Cubic Zn_xMg_1-xO thin films grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy for optoelectronic applications

著者 (4件)： MARES J.W. (Univ. Central Florida, Florida) ,  BOUTWELL R.C. (Univ. Central Florida, Florida) ,  SCHEURER A. (Univ. Central Florida, Florida) ,  SCHOENFELD W.V. (Univ. Central Florida, Florida)
資料名： Journal of Materials Research  (Journal of Materials Research)
巻： 25  号： 6  ページ： 1072-1079  発行年： 2010年06月 
JST資料番号： D0987B  ISSN： 0884-2914  CODEN： JMREEE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Zn濃度(x)がx=0~0.65の格子整合性を有する岩塩型立方晶Zn_xMg_1-xO膜を形成した。X線回折の結果から,この膜は表面全体が良好な形態を有していた。格子定数とZn濃度は良好な関係が認められた。光学的な測定結果から,材料のバンドギャップは6.25~4.85%の範囲であった。このバンドギャップはZnのモル分率が0~0.58に増加すると直線的に変化した。x=0.65でZnMgOはB1とB4結晶構造の混合相を示した。ホール測定の結果から高い抵抗値が認められた。

シソーラス用語： *酸化物 ,  *亜鉛化合物 ,  *マグネシウム化合物 ,  基板 ,  酸化マグネシウム ,  *MBE成長 ,  *オプトエレクトロニクス ,  格子整合 ,  立方晶系 ,  *薄膜成長 ,  薄膜 ,  表面構造 ,  格子定数 ,  濃度依存性 ,  *バンドギャップ ,  結晶構造 ,  表面粗さ ,  *電気抵抗率
準シソーラス用語： プラズマMBE ,  酸化物薄膜 ,  分子線エピタクシー

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (7件)： プラズマ ,  支援 ,  分子線エピタキシー ,  成長 ,  光電子 ,  立方晶 ,  薄膜