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J-GLOBAL ID：201002289607264840   整理番号：10A0352935

Ba_0.6Sr_0.4TiO₃薄膜の2臨界粒子サイズ

Two critical grain sizes of Ba_0.6Sr_0.4TiO₃ thin films

著者 (8件)： CHEN Hongwei (Univ. Electronic Sci. & Technol. China, Sichuan, CHN) ,  YANG Chuanren (Univ. Electronic Sci. & Technol. China, Sichuan, CHN) ,  ZHANG Jihua (Univ. Electronic Sci. & Technol. China, Sichuan, CHN) ,  LENG Wenjian (Univ. Electronic Sci. & Technol. China, Sichuan, CHN) ,  JI Hong (Univ. Electronic Sci. & Technol. China, Sichuan, CHN) ,  WANG Zhihong (Univ. Electronic Sci. & Technol. China, Sichuan, CHN) ,  LIAO Jiaxuan (Univ. Electronic Sci. & Technol. China, Sichuan, CHN) ,  ZHAO Li (Univ. Electronic Sci. & Technol. China, Sichuan, CHN)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 21  号： 3  ページ： 236-240  発行年： 2010年03月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ba_0.6Sr_0.4TiO₃(略してBST)薄膜を,RFマグネトロンスパッタリングにより成膜した。アニーリング条件を調整してさまざまな粒子サイズをもつBST薄膜をつくりだした。このBST薄膜の微細構造についてX線回折(XRD),原子間力顕微鏡観察(AFM)および高解像透過型電子顕微鏡観察(HRTEM)により研究した。粒子サイズにはBST薄膜中に二つの臨界サイズが観察された。非晶質から結晶質まで,結晶質の臨界サイズはほぼ10nmである。立方晶系(常誘電性)から正方晶系(強誘電性)までの強誘電臨界サイズはほぼ20nmであるとわかった。得られた薄膜の主な観察像を提示した。

シソーラス用語： マグネトロンスパッタリング ,  *薄膜成長 ,  酸化物 ,  薄膜 ,  エレクトロセラミック ,  *結晶成長 ,  粒度 ,  微細構造 ,  顕微鏡観察 ,  X線回折分析 ,  強誘電体 ,  *誘電体薄膜
準シソーラス用語： 酸化物薄膜

分類 (1件)： 誘電体一般  (BM05010F)

タイトルに関連する用語 (3件)： 薄膜 ,  臨界 ,  粒子サイズ