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J-GLOBAL ID：201002289764646722   整理番号：10A0500910

シリコンフォトダイオードの内部量子効率モデリング

Internal quantum efficiency modeling of silicon photodiodes

著者 (5件)： GENTILE T. R. ,  BROWN S. W. ,  LYKKE K. R. ,  SHAW P. S. ,  WOODWARD J. T.
資料名： Applied Optics  (Applied Optics)
巻： 49  号： 10  ページ： 1859  発行年： 2010年04月01日 
JST資料番号： B0026B  ISSN： 1559-128X  CODEN： APOPAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 400nmから900nmまでの波長範囲でシリコンフォトダイオードの波長に対する内部量子効率(IQE)の様子のモデリング結果を示す。そのIQEデータは,トラップ型検出器の透過率と加えて,広範囲のレーザ波長を用いて3個の透過光トラップ型検出器の外部量子効率の測定に基づいている。先に報告されたIQEのモデルの単純化版が0.01%以上の精度でデータと適合することがわかる。それらの結果は,NISTのスペクトル比較器機関により広められたNISTのスペクトル放射パワーの感度尺度に加えて,同じモデルを採用している他の国立計量研究所により広められた他の尺度を承認する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *フォトダイオード ,  量子効率 ,  モデリング ,  *光検出器 ,  ケイ素 ,  研究所
準シソーラス用語： NIST ,  外部量子効率 ,  内部量子効率

分類 (2件)： 光導電素子  (NC03083X) ,  測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン ,  フォトダイオード ,  内部量子効率 ,  モデリング