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J-GLOBAL ID：201002289795966679   整理番号：10A0500547

0.13μm Si RFCMOS技術の低電力Vバンド注入同期周波数分周器

A Low Power V-Band Injection-Locked Frequency Divider in 0.13-μm Si RFCMOS Technology

著者 (2件)： SEO Seungwoo (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  RIEH Jae-Sung (Korea Univ., Seoul, KOR)
資料名： IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)  (IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： E93-C  号： 5  ページ： 614-618  発行年： 2010年05月01日 
JST資料番号： L1370A  ISSN： 0916-8524  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,低DC電力消費でVバンドで動作する2分割注入同期周波数分周器(ILFD)を,商用0.13μm Si RFCMOS技術で開発した。バイアス電流パスを注入信号パスから分離し,わずか0.31mWのDC電力消費に至る,0.5Vの小さい供給電圧を可能にした。筆者の最良の知識では,これは記述時点でミリ波ILFDに対して報告された最も低い電力消費であった。全てのインダクタと接続ラインを,回路性能の正確な予測用のEM(電磁)シミュレータに基づき設計した。0~1.2V範囲のバラクタ同調電圧により,自走発振周波数が27.43から28.06GHzへ変化した。0dBm入力電力で,周波数分周器が,外部同調メカニズム無しで53から58.8GHzへ5.8GHzの同調範囲を示した。製造した回路サイズは,RFとDC供給パッドを含んで0.72mm×0.62mmであった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *分周器 ,  *注入同期 ,  電子技術 ,  *CMOS構造 ,  規模 ,  電力消費 ,  RF系 ,  ケイ素 ,  *消費電力
準シソーラス用語： CMOS技術 ,  Si ,  回路サイズ ,  周波数分周器 ,  低電力

分類 (2件)： 周波数変換回路  (NC05030J) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (20件)：

• RIEH, J.-S. Technology and design considerations for millimeter-wave circuits. 9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology, 2008. 2008, 1352-1356
• CAO, C. A 50-GHz phase-locked loop in 0.13-μm CMOS. IEEE J. Solid-State Circuits. 2007, 42, 8, 1649-1656
• LEE, J. A 75-GHz PLL in 90-nm CMOS technology. Digest of Technical Papers in IEEE International Solid-State Circuits Conference, Feb. 2007. 2007, 432-613
• WONG, Y.-H. A 50-to-62 GHz wide-locking-range CMOS injection-locked frequency divider with transformer feedback. IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium, April 2008. 2008, 435-438
• WU, C.-Y. Design and analysis of a millimeter-wave direct injection-locked frequency divider with large frequency locking range. IEEE Trans. Microw. Theory Tech. 2007, 55, 8, 1649-1658

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  低電力 ,  Vバンド ,  注入同期 ,  周波数分周器