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J-GLOBAL ID：201002289817855876   整理番号：10A1066057

700-mS/mm g_mと112-GHz f_Tとなる拡張モードのAIN/GaN/AlGaN DHFET

Enhancement-Mode AlN/GaN/AlGaN DHFET With 700-mS/mm g_m and 112-GHz f_T

著者 (12件)： CORRION A.L. (HRL Lab., LLC, CA, USA) ,  SHINOHARA K. (HRL Lab., LLC, CA, USA) ,  REGAN D. (HRL Lab., LLC, CA, USA) ,  MILOSAVLJEVIC I. (HRL Lab., LLC, CA, USA) ,  HASHIMOTO P. (HRL Lab., LLC, CA, USA) ,  WILLADSEN P.J. (HRL Lab., LLC, CA, USA) ,  SCHMITZ A. (HRL Lab., LLC, CA, USA) ,  WHEELER D.C. (HRL Lab., LLC, CA, USA) ,  BUTLER C.M. (HRL Lab., LLC, CA, USA) ,  BROWN D. (HRL Lab., LLC, CA, USA) ,  BURNHAM S.D. (HRL Lab., LLC, CA, USA) ,  MICOVIC M. (HRL Lab., LLC, CA, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 31  号： 10  ページ： 1116-1118  発行年： 2010年10月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高周波数性能を用いた拡張モード(Eモード)のAIN/GaN/AlGaN二重ヘテロ接合FET(DHFET)で,AIN障壁層の垂直スケーリングで操作を実行した。寄生抵抗はOhm接触空ごうエッチングにより低減するが,これにより分子ビームエピタキシーでn+GaNの再成長とSiN分解が進み,装置のアクセス領域でのシート電荷密度が上昇して,1.06Ωという極端に低いオン抵抗になった。80nmゲート長のDHFETは,0.21Vの閾値,0.70S/mmの外因性相互コンダクタンス(g_m)と112GHzの電流ゲインカットオフ周波数(f_T),215GHzの最大振動周波数(f_max)という高い値となった。

シソーラス用語： 遮断周波数 ,  *窒化ガリウム ,  *FET【トランジスタ】 ,  *HEMT ,  *改良 ,  ヘテロ接合 ,  被覆層 ,  Ohm接触 ,  MBE成長 ,  オン抵抗 ,  相互コンダクタンス ,  利得 ,  振動数
準シソーラス用語： GaN ,  *GaN HEMT ,  *HFET ,  カットオフ周波数 ,  寄生抵抗 ,  障壁層 ,  振動周波数 ,  *性能向上 ,  電流ゲイン ,  分子ビームエピタクシー

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： GHz ,  拡張 ,  AIN ,  GaN ,  AlGaN