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J-GLOBAL ID：201002289894952205   整理番号：10A0490890

HoMnO₃膜の基板に依存した成長

Substrate-Dependent Growth of HoMnO₃ Films

著者 (5件)： HAN Tai-Chun (National Univ. Kaohsiung, Kaohsiung, TWN) ,  LIN Jauyn Grace (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  WU Chien-Ting (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  CHU Ming-Wen (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  CHEN Cheng-Hsuan (National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 4,Issue 1  ページ： 041501.1-041501.3  発行年： 2010年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 少量の希土類元素(RE=Ho,Er,Tm,Yb,Lu,Y)を含む六方晶系構造を有するマンガン酸塩は六方晶系強誘電体として知られており,異なる物理的性質を示す大量の希土類元素を含む斜方晶系ペロブスカイト関連構造とは対照的である。本研究では,六方晶系構造と斜方晶系構造を持つHoMnO₃膜の安定化に及ぼす成長条件の影響を調べた。実験結果に基づいて,六方晶系構造を持つHoMnO₃膜を≧850°CでSi(111)上に安定化した。SrTiO₃(100),SrTiO₃(110),LaAlO₃(100),LaAlO₃(110)上に750~850°Cで純斜方晶系相が成長する。MgO(100)上には全ての温度で多相試料を成長させ得る。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 六方晶系 ,  *マンガン酸塩 ,  *ホルミウム化合物 ,  強誘電体 ,  斜方晶系 ,  結晶構造 ,  安定化 ,  チタン酸ストロンチウム ,  アルミニウム化合物 ,  ランタン化合物 ,  *薄膜成長 ,  依存性 ,  基板
準シソーラス用語： 基板依存性

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (16件)：

• N. Hur, S. Park, P. A. Sharma, S. Guha, and S.-W. Cheong: Phys. Rev. Lett.93(2004)107207.
• T. Kimura, T. Goto, H. Shintani, K. Ishizaka, T. Arima, and Y. Tokura: Nature (London) 426(2003)55.
• B. Lorenz, Y.-Q. Wang, Y. Y. Sun, and C. W. Chu: Phys. Rev. B 70(2004)212412.
• B. Lorenz, Y.-Q. Wang, and C. W. Chu: Phys. Rev. B 76(2007)104405.
• J.-S. Zhou and J. B. Goodenough: Phys. Rev. Lett.96(2006)247202.

タイトルに関連する用語 (1件)： 成長