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J-GLOBAL ID：201002289946189424   整理番号：10A0459726

光電子素子への応用のための非極性立方晶III族窒化物に関する最近の発展

Recent development on non-polar cubic group III-nitrides for optoelectronic applications

著者 (1件)： AS D. J. (Univ. Paderborn, Paderborn, DEU)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7608  ページ： 76080G.1-76080G.15  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 市販のIII族窒化物系光電子素子は極性c軸方向に成長され,強い「ビルトイン」圧電分極や自発分極の存在に悩まされる。3C-SiC基板上に成長させた相純粋立方晶系GaN,InN,AlN及びそれらの合金の分子ビームエピタクシー(MBE)の最近の成果を解説した。化学量論組成を注意深く調整し,表面粗さを著しく低減するための新しいRHEED制御技術を示した。立方晶系窒化物とAlGaN/GaNヘテロ構造の構造特性と光学的性質を示した。立方晶系窒化物中に分極場が存在しないことを実証した。

シソーラス用語： 固体素子 ,  *非極性 ,  窒化ガリウム ,  窒化インジウム ,  窒化アルミニウム ,  半導体材料 ,  化合物半導体 ,  炭化ケイ素 ,  立方晶系 ,  *MBE成長 ,  化学組成 ,  表面粗さ ,  RHEED ,  素子構造 ,  *半導体薄膜
準シソーラス用語： 光電子素子 ,  3C-SiC ,  化学量論組成 ,  ヘテロ構造

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 光電子素子 ,  応用 ,  非極性 ,  立方晶 ,  III族 ,  窒化物 ,  発展