RF/モバイル応用のための新奇な多層ニッケル-亜鉛-フェライト膜

KANEKO Kishou; INOUE Naoya; FURUTAKE Naoya; HAYASHI Yoshihiro

文献

J-GLOBAL ID：201002289994030216 整理番号：10A0490984

RF/モバイル応用のための新奇な多層ニッケル-亜鉛-フェライト膜

A Novel Multilayered Ni-Zn-Ferrite/TaN Film for RF/Mobile Applications

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著者 (4件)： , , ,
資料名：
巻： 49 号： 4,Issue 2 ページ： 04DB15.1-04DB15.5 発行年： 2010年04月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

RF/モバイルデバイスにおける改良型CMOS LSIの低k配線のために用いる,ニッケル-亜鉛-フェライト/TaN(MFT)多層膜を低温RFマグネトロンスパッタリングによって作製した。ニッケル-亜鉛-フェライトはNi_0.5Zn_0.5Fe₂O₄のスピネル構造をしている。このMFT膜において,磁化容易軸に近いスピネル構造のフェライト(311)方向を増強するために,ニッケル-亜鉛-フェライト薄膜の積層単位とTaN薄膜をラミネート構造に重ねた。このことにより,単層のMFT膜に比べて,飽和磁化は約50%増加し,抗磁力は高速スイッチングに望ましい値の1/5までに減少させることが出来た。物理的なモデルによる考察から,磁気的な特性を改善するためには,フェライトの厚さ全体における,(311)方向の領域の割合が非常に重要であることが分かった。高い電気抵抗を持つMFT膜は,渦電流を抑制する他に,GHz領域におけるワンチップインダクタ内の磁場を閉じこめ増強するのに優れており,RF/モバイル応用に適している。(翻訳著者抄録)

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固体デバイス製造技術一般

引用文献 (19件)：

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S. Yoshida, M. Sato, E. Sugawara, and Y. Shimada: J. Appl. Phys.85(1999)4636.
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