文献

J-GLOBAL ID：201002290025716974   整理番号：10A0854705

カーボンナノチューブに基づくスルーシリコンビアの開発

Development of Carbon Nanotube Based Through-Silicon Vias

著者 (5件)： KIM Bruce C. (Univ. Alabama, AL) ,  KANNAN Sukeshwar (Univ. Alabama, AL) ,  GUPTA Anurag (Univ. Alabama, AL) ,  MOHAMMED Falah (AN-Najah National Univ., West Bank, ZZZ) ,  AHN Byoungchul (Yeungnam Univ., Gyeingsan-si, KOR)
資料名： Transactions of the ASME. Journal of Nanotechnology in Engineering and Medicine  (Transactions of the ASME. Journal of Nanotechnology in Engineering and Medicine)
巻： 1  号： 2  ページ： 021012.1-021012.8  発行年： 2010年05月 
JST資料番号： W2293A  ISSN： 1949-2944  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単層カーボンナノチューブ(SW-CNT)に基づくTSVの電気モデルを提示し,銅バイアを用いたものと比較した。4つの事例研究を用いて詳細な解析を行った。銅及びSW-CNTを用いたTSVについてシミュレーションを行った。TSVの高さ及び径は,それぞれ90μm及び75μmで,径が1nm及び高さが90μmのSW-CNT束を用いた。銅充填TSVは2.5~20GHzの領域において-6.43dBの入力ポート反射を有し,一方CNT充填TSVでは-19.65dBの反射が得られた。出力ポートにおいてもシミュレーションを行い,CNT充填TSVは優れた性能を示した。解析の結果から,CNT充填スル-シリコンビアは銅充填ビアよりも優れた性能をもつことが分かった。適切な製作プロセス及び信頼性問題についても吟味し,SW-CNTに基づくTSVの設計及び開発についての展望を示した。

シソーラス用語： *バイアホール ,  *単層カーボンナノチューブ ,  シミュレーション ,  銅 ,  相互接続 ,  *充填材料 ,  モデリング ,  事例研究
準シソーラス用語： *TSV【配線】

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (3件)： カーボンナノチューブ ,  スルーシリコンビア ,  開発