絶縁ゲート型バイポーラトランジスタを使用した三相インバータ電力モジュールの高速電熱モデリング

ZHOU Zhongfu; IGIC Petar

文献

J-GLOBAL ID：201002290111464864 整理番号：10A0288035

絶縁ゲート型バイポーラトランジスタを使用した三相インバータ電力モジュールの高速電熱モデリング

High-speed electro-thermal modelling of a three-phase insulated gate bipolar transistor inverter power module

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資料名：
巻： 97 号： 1/2 ページ： 195-205 発行年： 2010年01月
JST資料番号： C0287B ISSN： 0020-7217 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

三相インバータ電力モジュールのIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)デバイスの接合温度を予測するための高速ET(電熱)モデリングを提案した。ET効果はインバータの信頼性に大きく影響するが,電力エレクトロニクスでは殆どのアプリケーションで接合温度を測定できないので,ETシミュレーションによる接合温度の予測が重要になっている。提案モデルでは,従来の物理学に基づく複雑なコンパクトモデルに代わり,IGBTとダイオードの,温度に依存する電力損失特性を測定・保存したルックアップテーブルを活用する。インバータはVCVS(電圧制御電圧源)としてモデル化される。提案モデルの優位性は,何分にもおよぶ長い実時間動作に関するインバータのETシミュレーションを標準的なPCを用いても受け入れ可能な計算時間内に実行できることである。提案モデルによるシミュレーション結果は,実験データと良好な一致を示した。

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トランジスタ

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