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J-GLOBAL ID：201002290148889504   整理番号：10A0823268

(Co,Cr):ZnO薄膜におけるCrコドーピングによる磁性Coイオン分布の仲介

Mediating distribution of magnetic Co ions by Cr-codoping in (Co,Cr): ZnO thin films

著者 (10件)： YAN Wensheng (National Synchrotron Radiation Lab., Univ. of Sci. and Technol. of China, Hefei, Anhui 230029, People’s Republic of ...) ,  SUN Zhihu (National Synchrotron Radiation Lab., Univ. of Sci. and Technol. of China, Hefei, Anhui 230029, People’s Republic of ...) ,  LIU Qinghua (National Synchrotron Radiation Lab., Univ. of Sci. and Technol. of China, Hefei, Anhui 230029, People’s Republic of ...) ,  YAO Tao (National Synchrotron Radiation Lab., Univ. of Sci. and Technol. of China, Hefei, Anhui 230029, People’s Republic of ...) ,  JIANG Qinghua (National Synchrotron Radiation Lab., Univ. of Sci. and Technol. of China, Hefei, Anhui 230029, People’s Republic of ...) ,  HU Fengchun (National Synchrotron Radiation Lab., Univ. of Sci. and Technol. of China, Hefei, Anhui 230029, People’s Republic of ...) ,  LI Yuanyuan (National Synchrotron Radiation Lab., Univ. of Sci. and Technol. of China, Hefei, Anhui 230029, People’s Republic of ...) ,  HE Jingfu (National Synchrotron Radiation Lab., Univ. of Sci. and Technol. of China, Hefei, Anhui 230029, People’s Republic of ...) ,  PENG Yanhua (National Synchrotron Radiation Lab., Univ. of Sci. and Technol. of China, Hefei, Anhui 230029, People’s Republic of ...) ,  WEI Shiqiang (National Synchrotron Radiation Lab., Univ. of Sci. and Technol. of China, Hefei, Anhui 230029, People’s Republic of ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 4  ページ： 042504  発行年： 2010年07月26日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 磁気的にドープした半導体の機能性に対して,母相での磁性イオン分布の制御は極めて重要である。本論文では,(Co,Cr)ドープZnOについて,Coイオンの電荷状態の操作を介した磁性Coイオンの分布の仲介において,Crドーピング技術の可能性を示した。CoK吸収端でのX線吸収微細構造解析は,Zn_0.92Co_0.08O薄膜において,金属Coクラスタの第二相の形成を示した。しかし,CrコドーピングはCoクラスタの形成を抑制し,したがって,ドープした全てのCoイオンは,ZnO中の置換位置を占有することが分かった。第一原理計算では,Co分布仲介におけるCrの能力が,Co 3d状態と,置換Crイオンに誘起されるドナーバンドとの顕著な混成から生ずることを明らかにした。この混成は,ドナーバンドからCo 3d状態への電荷移動をもたらし,Coイオンの電荷状態を変化させ,Coイオン間の静電相互作用を改変すること,を記した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *磁性半導体 ,  化合物半導体 ,  *磁性薄膜 ,  *酸化亜鉛 ,  ドーピング ,  コバルト ,  クロム ,  X線吸収端 ,  XAFS ,  クラスタ形成 ,  置換型固溶体 ,  電荷移動 ,  静電相互作用
準シソーラス用語： コドーピング ,  *希薄磁性半導体

分類 (2件)： 酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： CO ,  Cr ,  ZnO薄膜 ,  コドーピング ,  磁性 ,  イオン分布 ,  仲介