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J-GLOBAL ID：201002290189287349   整理番号：10A0305174

化学的機械的平坦化における物質除去速度に及ぼす表面力の効果

Effects of Surface Forces on Material Removal Rate in Chemical Mechanical Planarization

著者 (2件)： BOZKAYA Dincer (Northeastern Univ., Massachusetts, USA) ,  MUEFTUE Sinan (Northeastern Univ., Massachusetts, USA)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 157  号： 3  ページ： H287-H296  発行年： 2010年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 研磨粒子とウエハ間の表面力(van der Waalls力と電気二重層力)を考慮した,接触力学に基づく化学的機械的研磨の物質除去速度(MRR)のモデルを作り,表面力がMRRに及ぼす影響を荷重,パッドの弾性率,研磨粒子の粒径,イオンのモル濃度,粒子及びウエハのζ電位の関数として調べた。引力型のvan der Waalls力はMRRを増大させ,斥力型の二重層力はMRRを低下させることが分かった。パッド-粒子間力に対する表面力の相対的大きさは,粒径及びパッド弾性率が小さいほど大きくなる。実験で観測されたMRRのスラリーpH依存性は,粒子及びウエハのζ電位のpH値依存性を考慮したモデルによりうまく予測できた。

シソーラス用語： *化学研磨 ,  *速度 ,  *表面力 ,  van der Waals力 ,  電気二重層 ,  解析モデル ,  圧力効果 ,  切削工具 ,  弾性係数 ,  砥粒 ,  ウエハ【IC】 ,  ζ電位 ,  粒度依存性 ,  スラリー ,  pH依存性 ,  *化学機械研磨
準シソーラス用語： *CMP研磨 ,  研磨パッド ,  *除去速度 ,  化学的機械的平坦化

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  化学一般その他  (CA01060X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 化学的機械的平坦化 ,  物質 ,  除去速度 ,  表面力