文献

J-GLOBAL ID：201002290221387199   整理番号：10A0284809

電圧ストレス除去と効率向上のためのCMOS E級電力増幅器

A CMOS Class-E Power Amplifier With Voltage Stress Relief and Enhanced Efficiency

著者 (5件)： SONG Yonghoon (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Sungho (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  CHO Eunil (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Jaejun (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  NAM Sangwook (Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名： IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques  (IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques)
巻： 58  号： 2  ページ： 310-317  発行年： 2010年02月 
JST資料番号： C0229A  ISSN： 0018-9480  CODEN： IETMAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 移動端末に用いるCOMS電力増幅器(PA)の降伏電圧などの問題に対応するため,降伏からCMOSトランジスタを救済する高調波制御用2重共振回路を提案した。この回路はトランジスタゲートに適用する電圧波形を整形し,CMOSトランジスタの電圧ストレスを減し,降伏電圧マージンを増し,より高い電源電圧を用いて高負荷インピーダンスを実現し,効率を改善する。一方,負の静電容量を効率向上用に実現し,ドレインノード上の寄生成分から過剰容量を補正し,E級動作を復元する。この差動CMOSE級PAは1.8GHzで出力電力31.5dBm,ドレイン効率54%,電力付加効率51%を達成することを示した。

シソーラス用語： *携帯端末 ,  *半導体集積回路 ,  *電力増幅器 ,  電圧 ,  共振回路 ,  電力付加効率 ,  回路設計 ,  零電圧スイッチング
準シソーラス用語： *CMOS集積回路 ,  *E級増幅器 ,  *移動端末 ,  降伏電圧 ,  電圧ストレス

分類 (3件)： 移動通信  (ND08030H) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電圧ストレス ,  効率向上 ,  CMOS ,  電力増幅器