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J-GLOBAL ID：201002290235717590   整理番号：10A1104343

分光エリプソメトリーによるテクスチャー型a-Si:H/c-Siヘテロ接合太陽電池の高精度構造評価

著者 (3件)： 松木伸行 (岐阜大 未来型太陽光発電システム研究セ) ,  田中良和 (岐阜大 未来型太陽光発電システム研究セ) ,  藤原裕之 (岐阜大 未来型太陽光発電システム研究セ)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 71st  ページ： ROMBUNNO.15A-ZB-6  発行年： 2010年08月30日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  *太陽電池 ,  多重反射 ,  プラズマCVD ,  膜厚 ,  光学的測定 ,  テキスチャード加工 ,  半導体薄膜 ,  ケイ素 ,  エネルギー変換効率 ,  光学定数 ,  *単結晶シリコン ,  *水素化アモルファスシリコン
準シソーラス用語： *a-Si:H ,  モデルフィッティング ,  *分光エリプソメトリー

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (4件)： 分光エリプソメトリー ,  Si ,  ヘテロ接合太陽電池 ,  構造評価