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J-GLOBAL ID：201002290300501835   整理番号：10A0823804

増大した電気2重層容量のマイクロポーラスSiO₂/LiCl複合固体電解質によりゲートした垂直低電圧酸化物トランジスタ

Vertical low-voltage oxide transistors gated by microporous SiO₂/LiCl composite solid electrolyte with enhanced electric-double-layer capacitance

著者 (5件)： JIANG Jie (Ningbo Inst. of Materials Technol. and Engineering, Chinese Acad. of Sciences, Ningbo 315201, People’s Republic of ...) ,  SUN Jia (Key Lab. for Micro-Nano Optoelectronic Devices of Ministry of Education, Hunan Univ., Changsha 410082, People’s ...) ,  ZHOU Bin (Key Lab. for Micro-Nano Optoelectronic Devices of Ministry of Education, Hunan Univ., Changsha 410082, People’s ...) ,  LU Aixia (Key Lab. for Micro-Nano Optoelectronic Devices of Ministry of Education, Hunan Univ., Changsha 410082, People’s ...) ,  WAN Qing (Ningbo Inst. of Materials Technol. and Engineering, Chinese Acad. of Sciences, Ningbo 315201, People’s Republic of ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 5  ページ： 052104  発行年： 2010年08月02日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マイクロポーラスSiO₂系固体電解質によってゲートした垂直低電圧酸化インジウムスズ電界効果トランジスタ(FET)を室温で作成した。我々の結果は,LiイオンによってマイクロポーラスSiO₂固体電解質の電気2重層容量が増大し,垂直FETの作動電圧が1.5Vから0.8Vへ低下することを示している。このような垂直低電圧FETは,各々高い電流出力マイクロポーラスSiO₂系固体電解質,低い閾値スウィング(<80mV/decade),そして大きいオンオフ比(>10⁶)の良好な性能を見せた。酸化物系垂直FETの良好な性能が得られる作動機構を論じた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 電気二重層 ,  多孔性 ,  *二酸化ケイ素 ,  *塩化リチウム ,  固体電解質 ,  ゲート【半導体】 ,  酸化インジウムスズ ,  *FET【トランジスタ】 ,  静電容量 ,  比率 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： マイクロポーラス ,  オンオフ比 ,  低電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： 電気2重層 ,  マイクロポーラス ,  SiO2 ,  固体電解質 ,  ゲート ,  垂直 ,  低電圧 ,  酸化物 ,  トランジスタ