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J-GLOBAL ID：201002290445746208   整理番号：10A1041480

ビスマス修飾三セレン化ヒ素の薄層に基づく構造中の電荷移動特徴

Features of the Charge Transfer in Structures Based on Thin Layers of Bismuth-Modified Arsenic Triselenide

著者 (4件)： ANISIMOVA N.I. (Herzen State Pedagogical Univ., St. Petersburg, RUS) ,  BORDOVSKY V.A. (Herzen State Pedagogical Univ., St. Petersburg, RUS) ,  GRABKO G.I. (Herzen State Pedagogical Univ., St. Petersburg, RUS) ,  CASTRO R.A. (Herzen State Pedagogical Univ., St. Petersburg, RUS)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 44  号： 8  ページ： 1004-1007  発行年： 2010年08月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質As₂Se₃層における緩和過程に及ぼすBi不純物量の影響を解析し,これらの過程の性質を決定することを目的に研究した。rfスパッタリングによって蒸着した(As₂Se₃)_1-xBi_x修飾層(x=0~0.2)に基づく,Al-As₂Se₃〈Bi〉_x-Alサンドイッチ構造を研究した。ビスマスドーピングは,Bi含有量増加による秩序含有物の形成のため,非晶質As₂Se₃〈Bi〉層に基づくサンドイッチ構造(特に接触近傍領域)における電荷移動機構に大きく影響すると結論付けた。

シソーラス用語： ビスマス ,  化学修飾 ,  *セレン化ヒ素 ,  *薄膜 ,  *電荷移動 ,  非晶質 ,  緩和現象 ,  不純物 ,  RFスパッタリング ,  スパッタ蒸着 ,  アルミニウム ,  サンドイッチ構造 ,  ドーピング ,  含有量 ,  規則度
準シソーラス用語： *薄層

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (5件)： ビスマス ,  修飾 ,  セレン化ヒ素 ,  薄層 ,  電荷移動